1)基本情況:sMIC0,18um制程TQV(test qualification vehiclc),它以sRAM為載體,用于檢測(cè)產(chǎn)品的質(zhì)童和可靠性參數(shù)。

   (2)封裝類型:TsOPII妊環(huán)氧樹脂封裝D27C256AD-12

   (3)發(fā)生失效場(chǎng)合:為驗(yàn)證新封裝測(cè)試廠產(chǎn)品質(zhì)量.經(jīng)歷環(huán)境測(cè)試/HA⒏Γ120小時(shí)。(1)失效模式:白動(dòng)測(cè)試(ΛTE)連續(xù)性/開路。

   (5)失效機(jī)理:環(huán)氧樹脂器件表面之問嚴(yán)重分層(爆米花效應(yīng)),導(dǎo)致Pin Λ8焊接點(diǎn)和鋁焊盤脫離。

  (6)失效原因:該封裝廠產(chǎn)品密封性差.塑封材料內(nèi)的水分在高溫下受熱發(fā)生嘭脹,使塑封料與金屬柜架和分層討訌斷鍵合絲或和鋁焊盤脫離.發(fā)生開路失效:

   (7)所采用的分析方法:C分析:Hr\s'「(highl卜:accclerated tcn1pera1urc humiditys1ress test).加速壽命實(shí)驗(yàn).主要檢驗(yàn)環(huán)氧樹脂封裝器件的耐腐蝕能力・如致密性c失效模式:連續(xù)性∷.開路。同封裝制程質(zhì)量強(qiáng)相關(guān)。因此.用檢測(cè)封裝器件的非破壞性分析手段,

sAM和X Ray進(jìn)行分析。②外觀檢查:正常。③SAM:環(huán)氧樹脂與器件表面之間嚴(yán)重分層。①開封/內(nèi)部檢查及SEM:掃描電鏡觀察分層導(dǎo)致Pin A8金球/焊接點(diǎn)和鋁焊盤脫離。

   (l)基本情況:SMI(′o。13um數(shù)�；旌现瞥�,靜電放電(elect∞static discha喟e EsD)的防護(hù)能力不穩(wěn)定。人體放電模式(hun1an body m。del HBM)在⒛00V失效(規(guī)范:>2O0oV)。該產(chǎn)品所用的I()和IP.均由客戶自行設(shè)計(jì):

   (2)封裝類型:

   (3)失效模式:I∷O tcl I()的靜電放電測(cè)試后.Pin89相對(duì)肛V漂移大于規(guī)范。(4)失效機(jī)理:Pin9o EsI)保護(hù)電路附近,因靜電放電效應(yīng)導(dǎo)致的I'VM()s漏極到柵極擊穿。

   (5)失效原因:失效I'VM()s線路是該芯片ESD設(shè)計(jì)薄弱處,測(cè)試時(shí)有大電壓或大電流通過.引起本征擊穿。

   (6)失效分析手法:①非破壞性分析:測(cè)試結(jié)果/失效驗(yàn)證,好壞樣品rV曲線對(duì)比②半破壞性分析:自動(dòng)開封,鏡檢正常;電性驗(yàn)證:開封后電性能復(fù)測(cè),再次證實(shí)器件失效;正面失效定位,采用PEM和OBIRCH技術(shù);背面失效定位,分別對(duì)好壞樣品進(jìn)行PEM和OBIRCH定位,ESD失效樣品在客戶IP內(nèi)部發(fā)現(xiàn)有效亮點(diǎn);物理分析,采用RIE去除鈍化

層,手動(dòng)研磨/拋光去銅互聯(lián)層剝層,針對(duì)亮點(diǎn)及附近進(jìn)行有選擇性剝層和SEM觀察,亮點(diǎn)及附近所用層次形貌正常,沒有發(fā)現(xiàn)ESD相關(guān)的失效現(xiàn)象;同Pin89或鄰近ESD保護(hù)電路及IP內(nèi)部亮點(diǎn)到Pin89IO線路排查、SEM觀察,在Pin9o EsD保護(hù)電路附近,發(fā)現(xiàn)囚靜電放電效應(yīng)導(dǎo)致的I'VM(B漏極到柵極擊穿。