連接方式(G):傳輸線(xiàn)為同軸電纜,屏蔽層與源端和負(fù)載端連接,負(fù)載端接本地地。FAN4603MM13X這時(shí)不存在地環(huán)路,所以沒(méi)有地環(huán)路影響。外界磁場(chǎng)能穿過(guò)的環(huán)路面積只有屏蔽層與芯線(xiàn)之間很小的面積,因?yàn)槠帘螌涌梢钥醋魇窃谄渲行妮S上放置的一根等效導(dǎo)線(xiàn),而這根等效導(dǎo)線(xiàn)是非�？拷揪�(xiàn)的。這時(shí)的相對(duì)屏蔽效能可達(dá)gOdB,與連接方式(C)所示的電路兩端接地時(shí)提高了53dB。

   連接方式(H):傳輸線(xiàn)為雙絞線(xiàn),連接方式(I)傳輸線(xiàn)為屏蔽雙絞線(xiàn),都是電路單點(diǎn)接地,屏蔽層也是單點(diǎn)接地c雙絞線(xiàn)本身具有磁屏蔽性能,在沒(méi)有地環(huán)路影響下充分發(fā)揮了它的磁屏蔽作用,雙絞線(xiàn)可達(dá)55dB,屏蔽雙絞線(xiàn)可達(dá)⒛dB。這里比較屏蔽效能可知試驗(yàn)裝置中仍有一定的電場(chǎng)耦合,而雙絞線(xiàn)是沒(méi)有電場(chǎng)屏蔽性能的,只有屏蔽雙絞線(xiàn)才具各電場(chǎng)屏蔽性能。因此,連接方式(I)比連接方式(H)具有更高的屏蔽效能。

   連接方式(K):傳輸線(xiàn)為屏蔽雙絞線(xiàn),屏蔽層與源端相連,并在負(fù)載端接地, 其屏蔽效能比連接方式(I)高一些,為77dBE這種連接方式結(jié)合了連接方式(I) 和連接方式(G)的特點(diǎn)。但是這種方式并不常用,因?yàn)槿f(wàn)一由于某種原因屏蔽層 上感應(yīng)上噪聲,噪聲就可能流人信號(hào)線(xiàn),因此屏蔽層與信號(hào)線(xiàn)采用單點(diǎn)連接為宜。

   在電路單端接地時(shí)采用連接方式(G)和連接方式(I) 可以得到較高的磁屏蔽效能,實(shí)際運(yùn)用中這兩種方式也最普遍。連接方式(G)通 常用于高頻信號(hào)傳輸,連接方式(I)通常用于低頻信號(hào)傳輸。

   屏蔽電纜的磁屏蔽的效果取決于環(huán)繞芯線(xiàn)周?chē)钠帘坞娏鞯姆植肌６帘坞娎| 端頭附近的磁屏蔽效果取決于端接的方法。為屏蔽電纜四種不同的端接方式。端接方式 將使屏蔽層電流集中在“小辮”這一側(cè),會(huì)導(dǎo)致電磁泄漏;對(duì)沒(méi)有金屬外殼的屏蔽 層可采用的端接方式與電路的公共地線(xiàn)連接;當(dāng)金屬機(jī)箱沒(méi)有全封

閉,且沒(méi)有合適的接口時(shí),屏蔽電纜的屏蔽層進(jìn)入金屬機(jī)箱后立即采用端接方式也是可以接受的;最理想的端接方式是采用圖10-4(d)所示端接方 式,屏蔽電纜穿過(guò)機(jī)箱后電纜屏蔽層在過(guò)壁處與金屬機(jī)箱冗0°環(huán)接。 比較連接方式(I)與連接方式(G),可知同軸電纜磁屏蔽效果比屏蔽雙絞線(xiàn)好,這是因?yàn)橥S電纜對(duì)磁場(chǎng)呈現(xiàn)的環(huán)路面積比雙絞線(xiàn)更小。當(dāng)然,如果進(jìn)一步增加雙絞線(xiàn)的單位長(zhǎng)度的絞合數(shù),則雙絞線(xiàn)的磁屏蔽效能也會(huì)提高。在實(shí)際應(yīng)用中低頻磁屏蔽電路常優(yōu)選連接方式(I)所示的屏蔽雙絞線(xiàn),而不是連接方式(G)所示的同軸電纜。這是因?yàn)檫B接方式(I)所示的屏蔽層不是信號(hào)電路的一部分,僅是起到電場(chǎng)屏蔽作用,而連接方式(G)中同軸電纜的屏蔽層有信號(hào)回流流過(guò)。

   連接方式(J):傳輸線(xiàn)為屏蔽雙絞線(xiàn),屏蔽雙絞線(xiàn)的屏蔽層兩端接地,這可能降低一些磁屏蔽效能。因?yàn)槠帘螌有纬闪说丨h(huán)路,噪聲電流在屏蔽層流動(dòng)時(shí)會(huì)在內(nèi)部?jī)筛�(xiàn)上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,如果內(nèi)部?jī)筛�(xiàn)對(duì)屏蔽層有不平衡處,則兩根線(xiàn)上的感應(yīng)電壓就不可能完全抵消,從而產(chǎn)生干擾。這種方式測(cè)得的磁屏蔽效能為“dB。