在21世紀(jì)初,干法刻蝕應(yīng)川的分類主要依據(jù)器件的功能,大致包括邏輯器件和存儲(chǔ)器件。十年后,許多干法刻蝕應(yīng)用・f共存于邏輯與存儲(chǔ)器件屮。HC55185CIMZ無論是邏輯器件還是存儲(chǔ)器件的集成方案.很大程度上取決于最終的器件功能,這些器件從速度、能量消耗和其他囚素的角度進(jìn)行了優(yōu)化c日益復(fù)雜的集成方案,就新結(jié)構(gòu)和不同材料而言,為干法刻蝕帶來了差異。

   淺槽隔離Ⅱ用來將構(gòu)成器件的部件分離丌,在0.18um工藝屮,它已經(jīng)代替了器件制造巾的I'ΘCOs(硅的局域氧化)隔離技術(shù)。在淺槽隔離刻蝕中,精確地控制淺槽隔離CD、溝槽的深度以及頂部圓角,對于器件的性能和良率都是很重要的。過大的淺槽隔離CD的變化,惡化了靜態(tài)I∶作點(diǎn)漏電流的性能。溝槽深度的變化導(dǎo)致后CMP臺(tái)階高度(SH)差,臺(tái)階高度被定義為從填充材料頂部表面到硅有源區(qū)的距離。盡管需要一個(gè)適當(dāng)?shù)呐_(tái)階高度來阻止在Si(亠e外延沉積時(shí)硅有源區(qū)以外暴露,但臺(tái)階高度明顯的變化會(huì)導(dǎo)致對多品硅柵刻蝕底部形貌的影響。過于尖銳的頂角會(huì)在淺槽隔離側(cè)墻處產(chǎn)生高的邊緣電場,這會(huì)導(dǎo)致高漏電,在Id―Vg曲線|l表現(xiàn)為“雙駝峰”。雖然采用側(cè)墻氧化物退火.或者SiN拉回技術(shù)來減小“雙駝峰”,但它們無法改善由于局部應(yīng)力差引起的窄溝道寬度效應(yīng)。有效的頂部圓角,可以解決這兩個(gè)問題。如圖8.13Ⅱ所示,隨著特征尺寸的減小J曾加溝槽深度與溝槽CT)的比值,成為精確刻蝕控制的巨大挑戰(zhàn)。這是淺槽隔離圖形從(不定形碳)的動(dòng)力之一,它可以得到更好的側(cè)墻粗糙度、工維尺寸收縮和較少的耐蝕光刻膠的補(bǔ)償。例如,在前端I藝中的應(yīng)變I程,它促進(jìn)F應(yīng)力薄膜刻蝕、應(yīng)力近鄰技和選擇性外延源漏刻蝕等技術(shù)的開發(fā)。而在后端I藝中,可靠性增強(qiáng)觸發(fā)F在雙大馬士革互聯(lián)工藝中使用金屬硬掩膜。不同于存儲(chǔ)器件中對大電容的要求,在邏輯器仵巾,對所需要工作率下柵電極的關(guān)鍵尺寸控制得到r高度重視。此外,邏輯電路器件中復(fù)雜的連線需要幾層額外的金屬層。45nm存儲(chǔ)器件從鋁互連逐漸地轉(zhuǎn)變?yōu)殂~互連,這使得在后端△藝中日益重視氧化物和/或金屬的刻蝕。圖8.12顯示的是高速邏輯電路產(chǎn)品通常采用的刻蝕I藝,所有標(biāo)記的刻蝕將會(huì)在后面的章節(jié)中仔細(xì)地討論。