J6820P

    激子與表面相互作用

   有機半導體和電極之間的界面有兩種使移動的分子激子猝滅的過程:①電荷轉(zhuǎn)移,即激子中的一個電子轉(zhuǎn)移到界面處的一個鄰近俘獲中心,因而在有機半導體中產(chǎn)生一個自由空穴(例如,吸附在表面處的氧分子可作為電子陷阱中心);②能量轉(zhuǎn)移,即激子將自身的能量轉(zhuǎn)移給鄰近有機半導體表面上的受體分子。與過程①相比,這種能量轉(zhuǎn)移是一個相當緩慢的過程。 在分子晶體表面上的金屬可能通過兩種方式影響表面分子的電子狀態(tài)。

   第一,・它能改變它們的較高電子能級位置;第二,它能影響激發(fā)狀態(tài)的壽命。第一個作用來自穿過界面時介電常數(shù)的不連續(xù)性,它造成分子極化能的改變。如果極化強度增加,表面分子可以作為激子陷阱。第二種作用來自因金屬電極感應(yīng)引起的激子非輻射躍遷。

   通常,表面處的激子猝滅區(qū)是十分狹窄的(大約⒛A)網(wǎng)。在電致發(fā)光情況下,激子由電子空穴復合產(chǎn)生,復合區(qū)約為2OO~3OO A。這種情況,激子一表面相互作用區(qū)域比復合區(qū)小很多,因而并不如其他非輻射躍遷那樣重要�？墒�,在光電導情況下,界面處激子解離可產(chǎn)生自由載流子,因此,它是光生載流子產(chǎn)生的重要過程之一。