HCPL-2601

   無機納米半導體材料具有優(yōu)異光電特性,如遷移率高、光導性質(zhì)強、能隙可根據(jù)顆粒尺寸調(diào)節(jié)、材料吸收較強等,通常被應用于有機/無機雜化太陽能電池器件,作為電子受體無機納米顆粒在足夠小尺寸時,表現(xiàn)出量子特性。但是,尺寸較小的無機納米材料,由于表面張力很高而不夠穩(wěn)定,傾向于通過“ostwald ripening”過程而變?yōu)檩^大的粒子。因此,無機納米粒子的表面通常以有機配體作為屏蔽。這些配體一方面防止氧化和聚集,另一方面可以改變粒子在有機溶劑中的溶解性。但是,它們阻礙電荷由納米粒子到納米粒子的輸運。

    將納米顆粒Cdse與聚合物P3HT共混形成的本體異質(zhì)結電池,通過納米粒子尺寸的調(diào)節(jié),彌補了聚合物P3HT在650nm之后的長波范圍內(nèi)對太陽光吸收的不足,使AM1,5光照下的‰達到了1,7%,為5,7mA/cm。研究發(fā)現(xiàn)利用CdSe與共聚物制各的納米復合體系分散性好且存在光誘導電荷分離現(xiàn)象[14到,被認為在有機/無機雜化太陽能電池中有一定的潛力。⒛OT年Da…ish等報道的基于有機小分子TCVA(分子結構見圖4,28)和硅半導體的雙層異質(zhì)結器件(AWTCVA/pˉSi/Al),在沒有任何修飾及摻雜的情況下,可得到很好的性能。他們認為在光照下,TCVA產(chǎn)生激子,同時硅產(chǎn)生電子空穴對。光電流的產(chǎn)生是有機物中激子的解離以及硅中電子空穴對分離的共同結果,因此光照下可產(chǎn)生大量的光生載流子。另據(jù)報道,溴摻雜的并五苯單晶與無機半導體ZnO組成的‰可高達4,5%。