另外,旨在面向極高密度陣列(≥100,000個監(jiān)測點)的應用,例如,用于藥物開發(fā),在合適面積區(qū)域內(nèi)實現(xiàn)所需數(shù)量監(jiān)測點的唯一途徑就是原位生長。為此,基因芯片技術(shù)的市場領(lǐng)導者,美國A約metⅡx公司,采用了基于光刻的掩 模技術(shù)(在某種程度上類似于半導體制造技術(shù))。采用A助metrix公司的光刻掩膜技術(shù),可以實現(xiàn)對示蹤分子的堿基-堿基片內(nèi)分析。通過分別對特定區(qū)域位置開啟或關(guān)閉光照,可以實現(xiàn)對在建基因鏈末端堿基的連接反應進行觸發(fā)或阻止生長。因此,所需的掩膜版數(shù)量大約等于4同的堿基數(shù)量,即腺嘌呤、鳥嘌呤、胸腺嘧啶,和胞嘧啶的總和) ×示蹤分子的長度(參照本章6.2節(jié))。

HCPL-2601

   對于中、低密度陣列規(guī)模監(jiān)測點的另一種探測技術(shù)手段是由美國Nan。gen公司建議使用的示蹤分子的片外分析。通過這種方式可以以電泳的方式引導這些靶分子到達靶位置[19,20]。為此,需要一些邏輯電路為電極提供所需的電壓,這些電極位于各自相應的傳感位置點。

   另外,通過電學控制下的片上原位分析技術(shù)也被證明切實有效可用[21’22]。在修飾工藝的過程中,借助CMOS電路,電子信號加載于制作有貴金屬電極的測試位置點,通過貴金屬電極控制相關(guān)的生化反應。采用這種方式,超過10000個測試點的芯片已經(jīng)成功得到驗證了。