另外,旨在面向極高密度陣列(≥100,000個(gè)監(jiān)測(cè)點(diǎn))的應(yīng)用,例如,用于藥物開(kāi)發(fā),在合適面積區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)所需數(shù)量監(jiān)測(cè)點(diǎn)的唯一途徑就是原位生長(zhǎng)。為此,基因芯片技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者,美國(guó)A約metⅡx公司,采用了基于光刻的掩 模技術(shù)(在某種程度上類似于半導(dǎo)體制造技術(shù))。采用A助metrix公司的光刻掩膜技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)示蹤分子的堿基-堿基片內(nèi)分析。通過(guò)分別對(duì)特定區(qū)域位置開(kāi)啟或關(guān)閉光照,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)在建基因鏈末端堿基的連接反應(yīng)進(jìn)行觸發(fā)或阻止生長(zhǎng)。因此,所需的掩膜版數(shù)量大約等于4同的堿基數(shù)量,即腺嘌呤、鳥(niǎo)嘌呤、胸腺嘧啶,和胞嘧啶的總和) ×示蹤分子的長(zhǎng)度(參照本章6.2節(jié))。

HCPL-2601

   對(duì)于中、低密度陣列規(guī)模監(jiān)測(cè)點(diǎn)的另一種探測(cè)技術(shù)手段是由美國(guó)Nan。gen公司建議使用的示蹤分子的片外分析。通過(guò)這種方式可以以電泳的方式引導(dǎo)這些靶分子到達(dá)靶位置[19,20]。為此,需要一些邏輯電路為電極提供所需的電壓,這些電極位于各自相應(yīng)的傳感位置點(diǎn)。

   另外,通過(guò)電學(xué)控制下的片上原位分析技術(shù)也被證明切實(shí)有效可用[21’22]。在修飾工藝的過(guò)程中,借助CMOS電路,電子信號(hào)加載于制作有貴金屬電極的測(cè)試位置點(diǎn),通過(guò)貴金屬電極控制相關(guān)的生化反應(yīng)。采用這種方式,超過(guò)10000個(gè)測(cè)試點(diǎn)的芯片已經(jīng)成功得到驗(yàn)證了。