1970年通過(guò)在蒽單晶的兩個(gè)側(cè)面構(gòu)筑電極
發(fā)布時(shí)間:2019/4/15 21:25:25 訪問(wèn)次數(shù):1222
1970年通過(guò)在蒽單晶的兩個(gè)側(cè)面構(gòu)筑電極,首次制各了“顯示”器件㈣。為了防止空氣中器件老化,該“顯示”器件還進(jìn)行了封裝。19隴年,Ps。Ⅵneett等以半透明的金做陽(yáng)極,通過(guò)真空蒸鍍
制各了厚的非晶蒽薄膜器件,在30V直流驅(qū)動(dòng)下得到較亮的EL。但該薄膜質(zhì)量不好,電子注入效率低,存在易擊穿等缺點(diǎn)lsl。這些早期的有機(jī)電致發(fā)光研究,受到單晶生長(zhǎng)困難、器件壽命短暫或者極高的驅(qū)動(dòng)電壓等不良因素的困擾,沒(méi)有得到進(jìn)一步發(fā)展及應(yīng)用,但這些工作為后續(xù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。
國(guó)際上有機(jī)電致發(fā)光材料與器件的大規(guī)模研發(fā)始于十九世紀(jì)八十年代末:1987年美國(guó)柯達(dá)公司的鄧青云fC。W TangJ博士等人發(fā)明了三明治型有機(jī)雙層薄膜電致發(fā)光器件,標(biāo)志著有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)進(jìn)人了孕育實(shí)用化時(shí)代。在他們的原創(chuàng)性工作中,構(gòu)筑了―個(gè)包含空穴傳輸層和電子傳輸層的雙層器件結(jié)構(gòu),如圖5.2所示。由于器件結(jié)構(gòu)中同時(shí)含有空穴注人/傳輸層和電子注人/傳輸層,大大降低了驅(qū)動(dòng)電壓,提高了載流子復(fù)合效率,使有機(jī)EL的外量子效率提高到1%,功率效率達(dá)到1.51Ww,在小于10Ⅴ的電壓下發(fā)光亮度達(dá)到10OO cd/m2。該工作通過(guò)引人雙層器件結(jié)構(gòu),使器件性能有兩個(gè)重大突破:①解決了正負(fù)電極的功函數(shù)與有機(jī)材料雙向匹配的問(wèn)題,
既平衡了載流子的雙向注人,又提高了材料的選擇性;②雙層結(jié)構(gòu)使正負(fù)載流子由電極注人界面向有機(jī)層的中間遷移,使發(fā)光層遠(yuǎn)離電極,有效防止了電極對(duì)發(fā)光的猝滅。
1970年通過(guò)在蒽單晶的兩個(gè)側(cè)面構(gòu)筑電極,首次制各了“顯示”器件㈣。為了防止空氣中器件老化,該“顯示”器件還進(jìn)行了封裝。19隴年,Ps。Ⅵneett等以半透明的金做陽(yáng)極,通過(guò)真空蒸鍍
制各了厚的非晶蒽薄膜器件,在30V直流驅(qū)動(dòng)下得到較亮的EL。但該薄膜質(zhì)量不好,電子注入效率低,存在易擊穿等缺點(diǎn)lsl。這些早期的有機(jī)電致發(fā)光研究,受到單晶生長(zhǎng)困難、器件壽命短暫或者極高的驅(qū)動(dòng)電壓等不良因素的困擾,沒(méi)有得到進(jìn)一步發(fā)展及應(yīng)用,但這些工作為后續(xù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。
國(guó)際上有機(jī)電致發(fā)光材料與器件的大規(guī)模研發(fā)始于十九世紀(jì)八十年代末:1987年美國(guó)柯達(dá)公司的鄧青云fC。W TangJ博士等人發(fā)明了三明治型有機(jī)雙層薄膜電致發(fā)光器件,標(biāo)志著有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)進(jìn)人了孕育實(shí)用化時(shí)代。在他們的原創(chuàng)性工作中,構(gòu)筑了―個(gè)包含空穴傳輸層和電子傳輸層的雙層器件結(jié)構(gòu),如圖5.2所示。由于器件結(jié)構(gòu)中同時(shí)含有空穴注人/傳輸層和電子注人/傳輸層,大大降低了驅(qū)動(dòng)電壓,提高了載流子復(fù)合效率,使有機(jī)EL的外量子效率提高到1%,功率效率達(dá)到1.51Ww,在小于10Ⅴ的電壓下發(fā)光亮度達(dá)到10OO cd/m2。該工作通過(guò)引人雙層器件結(jié)構(gòu),使器件性能有兩個(gè)重大突破:①解決了正負(fù)電極的功函數(shù)與有機(jī)材料雙向匹配的問(wèn)題,
既平衡了載流子的雙向注人,又提高了材料的選擇性;②雙層結(jié)構(gòu)使正負(fù)載流子由電極注人界面向有機(jī)層的中間遷移,使發(fā)光層遠(yuǎn)離電極,有效防止了電極對(duì)發(fā)光的猝滅。
熱門(mén)點(diǎn)擊
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