在ITO和空穴傳輸層之間往往會(huì)引入一個(gè)緩沖層
發(fā)布時(shí)間:2019/4/16 21:29:13 訪問(wèn)次數(shù):2416
為了提高OLED性能,諸如降低驅(qū)動(dòng)電壓、提高發(fā)光效率、改善器件穩(wěn)定性和延長(zhǎng)壽命等,在ITO和空穴傳輸層之間往往會(huì)引入一個(gè)緩沖層,其作用機(jī)制有多種方式,闡述如下。
增強(qiáng)空穴注入的緩沖層
在以ITO為陽(yáng)極的oLED器件中,經(jīng)過(guò)表面修飾的ITo功函數(shù)最大可 達(dá)5.0eV,有機(jī)空穴傳輸材料的HOMO通常在5,5eV左右,因此空穴由電極的注人通常有0,5eV左右的注人勢(shì)壘。為了減小電極與空穴傳輸層之間的注人勢(shì)壘,可在二者之間嵌人一個(gè)空穴能級(jí)適中的空穴注人層,形成能級(jí)的梯狀遞增,使空穴可以通過(guò)減小的勢(shì)壘分步注人到空穴傳輸材料中,提高注人效率,這類緩沖層包括PED0△Pss[po1y(3,4ˉethylenedioxythiophene)∶poly(styrenesulphonic acid)l叨、星形三級(jí)芳胺phenyl)aminoltrVhenylamine) 和 m~MTDATA (tris(m-methyldipheny1amino)⒒phenylamine)⒓劍等,分子結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖5.10。PEDOT∶Pss通常應(yīng)用在聚合物器件中,通過(guò)它的修飾可將ITO表面平 整化、增加注入,因此減少了器件短路幾率,延長(zhǎng)器件壽命,降低驅(qū)動(dòng)電壓.m~MTDATA和⒉TNATA主要用于小分子oLED器件,它們起到提高注人效率、增強(qiáng)有機(jī)材料與陽(yáng)極表面之間的附著力、可以形成平整電極形貌的作用,因此通過(guò)這些材料對(duì)ITO表面的修飾,常常可以同時(shí)提高器件功率效率和增強(qiáng)器件壽命。
為了提高OLED性能,諸如降低驅(qū)動(dòng)電壓、提高發(fā)光效率、改善器件穩(wěn)定性和延長(zhǎng)壽命等,在ITO和空穴傳輸層之間往往會(huì)引入一個(gè)緩沖層,其作用機(jī)制有多種方式,闡述如下。
增強(qiáng)空穴注入的緩沖層
在以ITO為陽(yáng)極的oLED器件中,經(jīng)過(guò)表面修飾的ITo功函數(shù)最大可 達(dá)5.0eV,有機(jī)空穴傳輸材料的HOMO通常在5,5eV左右,因此空穴由電極的注人通常有0,5eV左右的注人勢(shì)壘。為了減小電極與空穴傳輸層之間的注人勢(shì)壘,可在二者之間嵌人一個(gè)空穴能級(jí)適中的空穴注人層,形成能級(jí)的梯狀遞增,使空穴可以通過(guò)減小的勢(shì)壘分步注人到空穴傳輸材料中,提高注人效率,這類緩沖層包括PED0△Pss[po1y(3,4ˉethylenedioxythiophene)∶poly(styrenesulphonic acid)l叨、星形三級(jí)芳胺phenyl)aminoltrVhenylamine) 和 m~MTDATA (tris(m-methyldipheny1amino)⒒phenylamine)⒓劍等,分子結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖5.10。PEDOT∶Pss通常應(yīng)用在聚合物器件中,通過(guò)它的修飾可將ITO表面平 整化、增加注入,因此減少了器件短路幾率,延長(zhǎng)器件壽命,降低驅(qū)動(dòng)電壓.m~MTDATA和⒉TNATA主要用于小分子oLED器件,它們起到提高注人效率、增強(qiáng)有機(jī)材料與陽(yáng)極表面之間的附著力、可以形成平整電極形貌的作用,因此通過(guò)這些材料對(duì)ITO表面的修飾,常常可以同時(shí)提高器件功率效率和增強(qiáng)器件壽命。
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