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    產(chǎn)生空穴隧穿的絕緣緩沖層

   在ITO表面修飾一薄層絕緣材料,如聚四氟乙烯Ceno11)四、類金剛石Θiamond lke carbon,DL、氟化鋰等,均可調(diào)控空穴注入、提高器件效率,但是對驅(qū)動電壓的影響不一該絕緣層有一個(gè)優(yōu)化厚度。如圖5,11所示,一種解釋認(rèn)為,絕緣層修飾本身產(chǎn)生一個(gè)偶電層,導(dǎo)

致了空穴由ITo注人絕緣層的勢壘,同時(shí)該偶電層使ITO與空穴傳輸層fNP⑴之問的注人勢壘降低(比較圖5.11)。很薄絕緣層產(chǎn)生的勢壘可通過隧穿效應(yīng)克服,因而ITo與空穴傳輸層NPB之間勢壘的降低有利于注人。隨著絕緣層厚度增大,偶電層形成的靜電勢也增大,ITO與NPB之間的注人勢壘進(jìn)一步減小,同時(shí)由ITo注人到絕緣層的勢壘增大,隧穿變得困難。因此存在這樣一個(gè)最佳厚度,即器件總注入勢壘最小時(shí)的絕緣層厚度(圖5.11)。此時(shí),再增加絕緣層厚度,ITO與絕緣層之間注人勢壘的增大,將大于ITO與NPB之間注人勢壘的減小,因此器件驅(qū)動電壓將會上升(圖5,11)。