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   p型化學摻雜型緩沖層

   在ITO和空穴傳輸材料層之間嵌入一層p型化學摻雜空穴注人材料,可以增強空穴注入。其機制是由于摻雜使主體材料的電子轉移到客體分子上,因而在主體材料中產生自由空穴,增加了陽極與有機薄膜的歐姆接觸特性。另外,p型摻雜形成的空穴聚集界面使p摻雜區(qū)域的能帶向下彎曲,ITO處的空穴通過隧穿注人到有機薄膜的幾率增大,如圖5,12所示。

   圖5.12 p型化學摻雜產生的歐姆接觸特性增強和電接觸處的能帶彎曲因此,在OLED器件結構的傳輸材料層內,適當地引入摻雜緩沖層可以提高器件的導電性能、提供歐姆接觸、有助于載流子的注人,從而大幅度地改善器件的性能。例如,提高器件的功率效率和降低驅動電壓。J,Huang等報道了一個使用n型和p型摻雜的空穴和電子傳輸層的oLED器件,在2.9V時,就可以達到1000cd//m2的亮度⒓叨。用于p型摻雜的材料有TCNQ,3,5,⒍四氟7,7,8,8-四氰基醌二甲烷q、氧化劑SbC15卩11和I2、氧化物WO3、Re03、MoO等。