HC8T0506

   陰極鋁的界面修飾

   鉛是非常理想的oLED器件電極材料,它活性適中,如果被氧化,

也僅僅在表面形成致密的氧化鋁薄膜,可防止內(nèi)層鋁的進(jìn)一步氧化。但是鋁的功函數(shù)較大“,3eV),與有機(jī)電子傳輸材料的LUMO通常有一定的差距,直接用作陰極,電子注人勢(shì)壘將會(huì)較大。為了降低勢(shì)壘,有大量研究集中在鋁電極界面修飾上,使用的材料包括堿金屬醋酸鹽、其他堿金屬化合物、堿金屬氟化物及n型化學(xué)摻雜體系。下面分別闡述。

    堿金屬化合物修飾:堿金屬醋酸鹽,如CH3CooM,M=Li、Na、K、

Rb、Cs,在熱蒸鍍時(shí)將發(fā)生裂解,并釋放出相應(yīng)的活性金屬,活潑金屬與鋁反應(yīng)可降低功函數(shù)。由此,增強(qiáng)電子注入,提高正負(fù)電荷的注人衡, 降低驅(qū)動(dòng)電壓,提高器件效率u瑚。另外,在電子傳輸材料之上蒸鍍Li2O、LiB02、K2so3、CsC⒐等堿金屬化合物,再蒸鍍鋁電極,可以增強(qiáng)電子注入。其作用機(jī)制是,這些堿金屬化合物在蒸鍍過程中,在電子傳輸層Alq3表面發(fā)生裂解,形成堿金屬氧化物,如,Ⅱ20、K2O、Cs20等,增強(qiáng)了電子注人。

    LiF修飾:目前最廣泛使用的鋁電極修飾是LF,也是目前最優(yōu)秀的

oLED陰極,它是由美國柯達(dá)公司的L,s.Hung等提出阝"。如圖5.17所示,ⅡF/Al電極比Mg∶Ag電極、Al電極的電流注人效率高很多,在電流密度為100mA/cm2下, 上述三個(gè)電極所需的驅(qū)動(dòng)電壓分別為10V、13V、17V,可見ⅡF對(duì)Al電極修飾后,顯著改善了電子注人性能。