HC8T0810

  LJ對(duì)Al電極修飾使電子注人效率顯著提高的機(jī)制,有多種解釋,下

面分別闡述。

    當(dāng)在電子傳輸層之上制備ⅡF后,再制各Al電極,由于電子可以透過LF經(jīng)Al的費(fèi)米能級(jí)與電子傳輸層的LUMo形成隧穿效應(yīng),從而提高了電子注人,降低了器件驅(qū)動(dòng)電壓。同時(shí),薄層LiF避免了Al與電子傳輸材料的直接接觸,有效地消除了界面偶電層所導(dǎo)致的勢(shì)壘。此機(jī)制可以解釋以ⅡF/Al取代Al電極所得器件性能的提高。但是使用ⅡF/Al電極與摻雜ⅡF的Al電極,可以得到相同的器件性能,對(duì)此卻無法解釋,如圖5,18所示。

   因?yàn)橐訪J摻雜Al,Al電極將不可避免地與電子傳輸層相接觸,經(jīng)由Lr隧穿這種解釋不能成立。

   通過紫外光電子能譜tUP9對(duì)AVⅡF/Alqs及Al/A‰界面電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn),A礫的HOMo能級(jí)及真空能級(jí)的漂移是由ⅡF所致。在Al/Alq3和Al/LJ界面所測(cè)得的偶極分別為1.0eV、1.6eV,表明Lr內(nèi)嵌于Alq3與Al之間,可以降低Al到Alq3的電子注人勢(shì)壘。如圖5.19(a)所示,由于Alq3與Al之間大小為I.0eV的電偶極的形成,使電子注入勢(shì)壘由不形成偶極時(shí)的1.5eV降低到0.5eV,當(dāng)內(nèi)嵌ⅡF后,如圖5,19(b)所示,界面偶極增大為1,6eV,因此電子的注人勢(shì)壘為硐,1eV,即電子注人是能量有利方向,不存在注人勢(shì)壘。