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水分子的存在,可降低鋁功函數

發(fā)布時間:2019/4/16 22:06:34 訪問次數:1746

   HCF4094M013TR

   

   水分子的存在,可降低鋁功函數

   研究發(fā)現(xiàn),鋁的功函數會隨著少量hF而戲劇化地下降。一種解釋認為,在熱蒸發(fā)過程中,水分子的存在使ⅡF解離,并在界面形成LiˉAl合金。另一種解釋認為,由于水分子在Lf分子上的化學吸附,Al/LJ之間的界面形成大量偶極所致。但是最近的高分辨能量損失譜指出,在LJ/Al之間的界面不存在水分子,也沒有LiF在鋁界面的解離。

   型摻雜修飾:從鋁電極向有機材料注人電子的效率,也可以通過n型化學摻雜得到提高。同p型化學摻雜類似,將具有給電子特性的摻雜客體摻雜于電子傳輸材料中,發(fā)生電子轉移反應后,電子傳輸材料由于得到電子而形成自由基陰離子,從而提高界面的歐姆接觸特性,降低電子注人勢壘。在摻雜體系中,活潑堿金屬鋰或銫由于良好的電子給出能力而被用作n型摻雜材料,它們可通過化合物的分解等途徑獲得。這些金屬容易擴散到有機層,引起發(fā)光的猝滅,因此需要添加緩沖層。另外,Ⅱ和Cs比較活潑,需要特殊的裝料和蒸鍍設備。以堿金屬醋酸鹽或碳酸鹽來代替堿金屬蒸鍍,由于可以發(fā)生熱裂解反應,釋放出金屬,同樣具有n型化學摻雜效果。



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   水分子的存在,可降低鋁功函數

   研究發(fā)現(xiàn),鋁的功函數會隨著少量hF而戲劇化地下降。一種解釋認為,在熱蒸發(fā)過程中,水分子的存在使ⅡF解離,并在界面形成LiˉAl合金。另一種解釋認為,由于水分子在Lf分子上的化學吸附,Al/LJ之間的界面形成大量偶極所致。但是最近的高分辨能量損失譜指出,在LJ/Al之間的界面不存在水分子,也沒有LiF在鋁界面的解離。

   型摻雜修飾:從鋁電極向有機材料注人電子的效率,也可以通過n型化學摻雜得到提高。同p型化學摻雜類似,將具有給電子特性的摻雜客體摻雜于電子傳輸材料中,發(fā)生電子轉移反應后,電子傳輸材料由于得到電子而形成自由基陰離子,從而提高界面的歐姆接觸特性,降低電子注人勢壘。在摻雜體系中,活潑堿金屬鋰或銫由于良好的電子給出能力而被用作n型摻雜材料,它們可通過化合物的分解等途徑獲得。這些金屬容易擴散到有機層,引起發(fā)光的猝滅,因此需要添加緩沖層。另外,Ⅱ和Cs比較活潑,需要特殊的裝料和蒸鍍設備。以堿金屬醋酸鹽或碳酸鹽來代替堿金屬蒸鍍,由于可以發(fā)生熱裂解反應,釋放出金屬,同樣具有n型化學摻雜效果。



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