LAN8700IC-AEZG

   實際上MOS器件的退化是不均勻的，N溝道MOS管的退化主要發(fā)生在漏極附近的高電場區(qū)，對非均勻氯化層電荷和界面陷阱分布的溝道，閾值電壓的物理意義已經(jīng)不夠確切。而且當器件工作在低柵壓區(qū)(VG�！禫 DS/2)及接近VDS時，閾值電壓的漂移非常小，這是由于氧化層中俘獲電荷屏蔽了界面陷阱效應的緣故。如果將AICP達到一定數(shù)量（如lpA]弘m溝道寬）所需應力時間作為壽命r的定義，則可得到與上述Tld～I。b/ld之間的類似關(guān)系。但用于熱載流子退化的壽命預計尚有一些問題，有待進一步研究。

  其次，為防止外界水分、雜質(zhì)等的侵入，芯片外一般加有保護的鈍化膜。鈍化層原來 采用磷硅玻璃，后來采用等離子體氮化硅膜。這種膜中含有氫，氫的原子半徑很小，極易 擴散進入柵下Si-Si0。界面處，取代氧與硅形成Si-H、Si-OH鍵，熱載流子的注入使 Si-H、Si-OH鍵破壞，在氧化層中形成Q，。或Q。。，從而使熱載流子效應嚴重。針對這一 問題，可用化學氣相沉積的氮化硅膜保護柵極區(qū)來防止氫原子擴散進入。

     首先，考慮溫度的問題，大多數(shù)可靠性試驗證明，環(huán)境溫度越高，器件退化越嚴重。而熱載流子的情況則相反，溫度越低，熱載流子效應越明顯。研究顯示在-40℃時比室溫下退化更為嚴重。熱載流子在低溫下的加速可這樣來解釋：低溫下，Si原子的振動變?nèi)酰?/span>襯底中運動的電子與硅原子間的碰撞減少，電子的自由程增加，從電場中獲得的能量增加，容易產(chǎn)生熱電子，提高了注入氧化層的概率。另外也容易發(fā)生電離碰撞，產(chǎn)生二次電子，這些二次電子也可成為熱電子，使注入氧化層中的熱電子進一步增多，這就導致低溫下熱電子效應的加速。

    一些研究證明，工作在交流條件下器件熱載流子的退化比直流條件下更嚴重。

   漏極附近電場強度的增加是引發(fā)溝道熱載流子效應的原因，因此，要減輕漏極附近的場強，比較有效的措施是采用輕摻雜源一漏(Lightly Doped Drain-Source，LDDS)結(jié)構(gòu)，使雪崩注入?yún)^(qū)向硅襯底下移，離開柵界面處。

   對深亞微米器件，還可采用P-I-N漏MOSFET結(jié)構(gòu)來抑制熱載流子效應，所謂P-I-N漏結(jié)構(gòu)是在常規(guī)溝道區(qū)的源一漏端赴降低摻雜濃度至接近本征的lois／cn3～l016／Cm3（N溝道仍為P區(qū)），可進一步降低近漏端電場強度。

   此外，工作時限制V DS及VBS的大小，也可改善熱載流子效應。