AA2214SYSK-AMT

   寄生NPN(PNP)三極管的共基極電流增益aN(aP)間有關(guān)系

     aNRWRw、Rs分別為晶體管E-B結(jié)上并聯(lián)的寄生電阻，是相應(yīng)發(fā)射極串聯(lián)電阻。

       電路輸出端閂鎖觸發(fā)的等效電路。當(dāng)輸出端上存在正的外部噪聲時，寄生PNP管VT．，的E-B結(jié)正向偏置，基極電流通過Rs流入UDD中，VT．，管導(dǎo)通，其集電極電流通過P阱內(nèi)部Rw進(jìn)入Us。，Rw上產(chǎn)生壓降，當(dāng)VT，z管的UBE達(dá)到正向?qū)妷簳r，VT，。導(dǎo)通，VT，。的集電極電流流向VT．，基極使其電位降低，VT．，進(jìn)一步導(dǎo)通結(jié)果使UDD與Uss之間形成低阻電流通路，這就發(fā)生了閂鎖。

   溫度升高，晶體管E-B結(jié)正向?qū)妷合陆担娏髟鲆婧图纳娮桦S溫度升高而增大，導(dǎo)致維持電流IH隨溫度升高而下降。另外，PN結(jié)反向漏電隨溫度上升而增大，而P阱襯底結(jié)的反向漏電正是寄生SCR結(jié)構(gòu)的觸發(fā)電流，所以高溫下閂鎖更易發(fā)生。

   對閂鎖效應(yīng)的檢測，可測定CMOS IC抗閂鎖性能的好壞和芯片內(nèi)部閂鎖通路，為失效分析、改進(jìn)設(shè)計，提供依據(jù)。檢測閂鎖效應(yīng)的方法有以下3種。提高器件的電源電壓（輸入端接人適當(dāng)邏輯電平，輸出端開路），根據(jù)電源電流的變化，便可判斷發(fā)生閂鎖效應(yīng)昀觸發(fā)電平，或用示波器記錄電源I-U特性。電源電壓必須大于維持電壓UH，它所提供的電流必須大于維持電流IH。觸發(fā)電流在寄生電阻上的壓降大于相應(yīng)晶體管E-B結(jié)上正向壓降。觸發(fā)信號可以是外界噪聲或電源電壓波動；觸發(fā)端可以是電路的任意端。下面以輸出端的噪聲觸發(fā)為例來分析其觸發(fā)的物理過程，其他端的情況類似。