1)曝光開始前,光敏二極管被初始反向偏置到高電壓(例如3.3Ⅴ)進行復(fù)位。復(fù)位操作是通過位于列總線上的電路實現(xiàn)的(未顯示在圖中)。為了進行像素復(fù)位,需激活行選擇(RS)開關(guān)(像素尋址晶體管導(dǎo)通)以使像素連接到列總線。一旦像素被復(fù)位,Rs開關(guān)將被關(guān)閉,曝光就可以開始。

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   2)曝光時,光敏二極管的n+區(qū)域(陰極)保持懸浮狀態(tài)。人射光子被硅吸收從而產(chǎn)生電子-空穴對。光敏二極管n+~p結(jié)兩端的電場將使這兩種載流子分離。其中,電子將移動到光敏二極管的n+側(cè),空穴將移動到光敏二極管p襯底側(cè)。此時,光敏二極管的反向電壓將會減小。

   3)曝光結(jié)束時,測量光敏二極管兩端的剩余電壓,其相對比于初始電壓的壓降可用于衡量曝光時間內(nèi)落在光敏二極管上的光子的數(shù)量。需要明確的是,在測量光敏二極管兩端電壓時需激活RS開關(guān)。

   4)光敏二極管再次被復(fù)位以準(zhǔn)備下次曝光。