在智能傳感器的生產(chǎn)過程中,有幾種方法可以包括校準(zhǔn)和調(diào)節(jié)步驟。大多數(shù)智能傳感器通過標(biāo)準(zhǔn)的集成電路生產(chǎn)流程生產(chǎn),通過另外增加前道或后道工藝制作傳感器元件。這意味著許多生產(chǎn)步驟是利用晶圓級批量工藝。在許多情況下,在晶圓切片后,只有單個傳感器的封裝是非批量生產(chǎn)制作工藝。

AD9862BSTZ

   為了發(fā)揮批量生產(chǎn)的優(yōu)勢,校準(zhǔn)和調(diào)整必須在晶圓級進(jìn)行,換句話說,要在劃片和封裝之前進(jìn)行。在某些情況下,同一片晶圓上的所有的傳感器可能會同時暴露于相同的嚴(yán)格定義的校準(zhǔn)條件下。例如智能溫度傳感器的校準(zhǔn)使用一個溫度穩(wěn)定的晶片卡盤。這種并行方法的優(yōu)點(diǎn)是創(chuàng)造校準(zhǔn)條件的相關(guān)時間和費(fèi)用成本被許多傳感器分?jǐn)偭恕Ａ硪环矫?這種方法一個主要的缺點(diǎn)是由劃片和封裝產(chǎn)生的額外的誤差沒有考慮在內(nèi)。例如,許多智能溫度傳感器當(dāng)它們被封裝進(jìn)塑料管殼中時,會表現(xiàn)出一個被稱為封裝偏移的現(xiàn)象。當(dāng)校準(zhǔn)和調(diào)整在晶圓級進(jìn)行時,封裝偏移會降低封裝后傳感器的精度。

   在許多情況下,校準(zhǔn)和調(diào)整在生產(chǎn)線的最后進(jìn)行,即在封裝后進(jìn)行,因為封裝是傳感器正常工作所必需的。這種情況下晶圓級并行處理模式的成本效益消失,這種方法可以糾正包括封裝導(dǎo)致偏移在內(nèi)的個體誤差。適宜匹配的非易失性存儲器技術(shù)的范圍被限制于那些不需要直接進(jìn)入芯片的情況。