表9.4中比較了本節(jié)包含的各種平面內(nèi)TEG器件。為了便于比較,輸出電壓和輸出功率對(duì)于溫差和面積都做了歸一化處理。由表可以看出,OPA1612AIDRGR平面內(nèi)TEG器件具有相對(duì)較高的輸出電壓,而輸出功率較低。這主要是因?yàn)槠矫鎯?nèi)TEG具有較大的內(nèi)部電阻。

    表9.4 各種平面內(nèi)TEG器件性能對(duì)比

    假設(shè)芯片立在側(cè)壁上。面交叉厚膜TEG:面交叉厚膜TEG膜厚在十微米數(shù)量級(jí)到百微米數(shù)量級(jí)。如此厚的膜組成的熱電偶通�？梢酝ㄟ^預(yù)先設(shè)計(jì)好的模具、傳統(tǒng)的機(jī)械制造甚至手動(dòng)操作來造。因此,熱電偶的尺寸相對(duì)較大,尤其相比于在接下來內(nèi)容中闡述的面交叉薄膜TEG器件。例如,日本精工集團(tuán)開發(fā)的TEG器件上的熱電偶腿的尺寸為80um×gOum×ω0um,如圖9.9所示22-c面交叉厚膜TEG通常只包含有限數(shù)量的熱電偶,大多不超過⒛0根。同時(shí)由于

ⅡTe化合物的較低的熱電轉(zhuǎn)換特 性,使得面交叉厚膜TEG輸出電壓在中等范圍。

    表9.5列出了相關(guān)文獻(xiàn)中報(bào)道的面交叉厚膜TEG的技術(shù)細(xì)節(jié)。注意,參考文獻(xiàn)中沒有明確給出的參數(shù)是通過圖表或者數(shù)字中提取的。對(duì)于面交叉厚膜TEG,單位溫差下的輸出電壓通常在mⅤ級(jí)別,而輸出功率可以達(dá)到uW級(jí)別。這主要是因?yàn)槊娼徊婧衲EG具有相對(duì)大的幾何結(jié)構(gòu)和金屬互連較大的接觸面積產(chǎn)生了較低的內(nèi)部電阻。噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室制造的碲化鉍TEG器件的內(nèi)部電阻僅有1z~30Ω[23]。