低溫試驗(yàn)條件的設(shè)定由電子元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)和使用的環(huán)境條件決定,產(chǎn)品要求在怎么樣的環(huán)境溫度下使用,試驗(yàn)室就應(yīng)該采用相應(yīng)的溫度條件來對其進(jìn)行適應(yīng)性試驗(yàn)考核,因此,試驗(yàn)條件與環(huán)境條件相一致而不矛盾。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,電子元器件、儀器、儀表基本環(huán)境試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),溫度下限為0℃、△0℃、刁5℃、彳0℃等幾檔,根據(jù)調(diào)查和收集到的資料,我國境內(nèi)氣象站測得的最低溫度為51℃,大興安嶺地區(qū)曾經(jīng)測得最低溫度為62℃,因此,增加了一55℃、-65℃等幾檔。

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    隨著電子元器件的進(jìn)一步發(fā)展,一些連接器、線纜組件需要承受△00℃的超低溫沖擊情況,在特定條件下,需要增加△00℃或110℃的超低溫試驗(yàn)條件。在此嚴(yán)酷條件下,對電子元器件的考核是嚴(yán)酷的。

   對于試驗(yàn)保持時(shí)間,國際標(biāo)準(zhǔn)將低溫試驗(yàn)的持續(xù)時(shí)間定為2h、16h、72h、96h四種,這主要是從電子元器件產(chǎn)品使用環(huán)境出發(fā)考慮的,為西歐、日本等國所采用。但美國軍用標(biāo)準(zhǔn)普遍采用保持以h或72h兩種。我國軍用標(biāo)準(zhǔn)提出按產(chǎn)品重量來確定試驗(yàn)時(shí)間。低溫試驗(yàn)保持時(shí)間的長短,應(yīng)取決于該產(chǎn)品在某一低溫條件下保證內(nèi)部凍透,即內(nèi)部溫度達(dá)到與試驗(yàn)條件相平衡(偏差小于3℃),而不一定需要延長試驗(yàn)時(shí)間(對延長試驗(yàn)時(shí)間是否有影響也進(jìn)行過一些試驗(yàn)驗(yàn)證),因?yàn)榈蜏叵碌淖饔媒Y(jié)果不像高溫時(shí)的“熱老化”作用有“積累”意義。因此,保持時(shí)間只要能使樣品凍透,有足夠時(shí)間使材料受溫度影響而產(chǎn)生收縮變形就可以了。

   低溫試驗(yàn)技術(shù)和方法

   1)試驗(yàn)?zāi)康?/span>

   低溫試驗(yàn)用于考核產(chǎn)品在低溫環(huán)境條件下存儲和使用的適應(yīng)性,常用于產(chǎn)品在開發(fā)階段的型式試驗(yàn)和元器件的篩選試驗(yàn)。

  2)試驗(yàn)條件

   按照國標(biāo)GB2423.1―2008規(guī)定如下:

  (1)非散熱試驗(yàn)樣品低溫試驗(yàn)Ab:溫度漸變。

   (2)散熱試驗(yàn)樣品低溫試驗(yàn)Ad:溫度漸變。

   試驗(yàn)的嚴(yán)酷程度由溫度和持續(xù)時(shí)間確定。