MOS器件的加速評估方法

在GJB548B-20“、QJ1O004―2008及MIL-STD-883H中給出了MOS器件的總劑量輻照試驗流程(加速評估方法),具體流程如圖3-12所示。 M24C04-WMN6TP

   第一步:輻照劑量率選用高劑量率50~300rad(si)。

   第二步:輻照到規(guī)定的總劑量。

   第三步:進行電參數(shù)測試,若合格,則進行第五步;不合格,則進行第四步。

   第四步:進行7天的室溫退火后,進行電參數(shù)測試,若合格,則進行第五步,不合格,則判為不合格。

   第五步:進行50%的過輻照。

   第六步:進行幾=100℃的168小時的高溫退火。

   第七步:進行電參數(shù)測試。

   MOs器件的劑量率效應是時間相關效應,即高劑量率輻照加與低劑量率輻照等時的室溫退火可以等效低劑量率的輻照損傷。也就是說時間相關效應是由于劑量率不同,所需輻照時問的長短不同,使輻照期間產(chǎn)生的氧化物電荷和界面態(tài)的數(shù)量存在差異。而且在高劑量率輻照后保持與輻照相同的偏置條件經(jīng)過與低劑量率輻照到相同總劑量所需的時間的退火后,將會消除這種差異,最終高劑量率輻照損傷與低劑量率輻照上接近。