MOS器件的加速評(píng)估方法

在GJB548B-20“、QJ1O004―2008及MIL-STD-883H中給出了MOS器件的總劑量輻照試驗(yàn)流程(加速評(píng)估方法),具體流程如圖3-12所示。 M24C04-WMN6TP

   第一步:輻照劑量率選用高劑量率50~300rad(si)。

   第二步:輻照到規(guī)定的總劑量。

   第三步:進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,若合格,則進(jìn)行第五步;不合格,則進(jìn)行第四步。

   第四步:進(jìn)行7天的室溫退火后,進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試,若合格,則進(jìn)行第五步,不合格,則判為不合格。

   第五步:進(jìn)行50%的過(guò)輻照。

   第六步:進(jìn)行幾=100℃的168小時(shí)的高溫退火。

   第七步:進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試。

   MOs器件的劑量率效應(yīng)是時(shí)間相關(guān)效應(yīng),即高劑量率輻照加與低劑量率輻照等時(shí)的室溫退火可以等效低劑量率的輻照損傷。也就是說(shuō)時(shí)間相關(guān)效應(yīng)是由于劑量率不同,所需輻照時(shí)問(wèn)的長(zhǎng)短不同,使輻照期間產(chǎn)生的氧化物電荷和界面態(tài)的數(shù)量存在差異。而且在高劑量率輻照后保持與輻照相同的偏置條件經(jīng)過(guò)與低劑量率輻照到相同總劑量所需的時(shí)間的退火后,將會(huì)消除這種差異,最終高劑量率輻照損傷與低劑量率輻照上接近。