與MOS器件不同, M24C04-RMN6TP對(duì)于大多數(shù)雙極晶體管及雙極器件而言,不同的劑量率輻照結(jié)果不是TDE效應(yīng),而是一種低劑量輻照損傷增強(qiáng)效應(yīng)(Enhanccd Low Dosc Ratc sensitivity,ELDRS)。ELDRS效應(yīng)的表現(xiàn)形式為低劑量率輻射損傷比高劑量率輻射損傷更為顯著,而且這種損傷并不能通過(guò)與低劑量率輻照等時(shí)間相同的環(huán)境溫度下退火加以消除(若能加以消除,則為T(mén)DE效應(yīng))。

   大部分雙極器件和線性集成電路都具備明顯的ELDRs效應(yīng)。

因此,低劑量率空間輻射環(huán)境給半導(dǎo)體元器件抗輻射能力實(shí)驗(yàn)室測(cè)試評(píng)估方法帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。若采用實(shí)際的空間低劑量率對(duì)半導(dǎo)體器件的抗空間輻射能力進(jìn)行評(píng)估,那么所花費(fèi)的費(fèi)用、時(shí)間將是巨大的,而且由于國(guó)內(nèi)實(shí)驗(yàn)源的能力的限制,無(wú)法進(jìn)行大批量的試驗(yàn);若采用高劑量率(50~300rad(Si)人)進(jìn)行試驗(yàn),一方面由于ELDRs效應(yīng)的存在,無(wú)法模擬雙極器件的低劑量率輻照損傷;另一方面,雖然對(duì)于MOS器件高劑量率輻照加長(zhǎng)時(shí)問(wèn)(與低劑量率輻照等時(shí))的室溫退火可以模擬低劑量率輻照損傷,但是其退火時(shí)間還是太長(zhǎng),耗費(fèi)的人力物力還是太大。因此,需要一種加速評(píng)估方法來(lái)快速評(píng)估器件的低劑量率輻射損傷。

   目前,對(duì)于MOS器件的低劑量率輻射損傷的加速評(píng)估方法如下:高劑量率輻照一過(guò)輻照一高溫退火。國(guó)內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)器的加速試驗(yàn)方法的研究表明,這種加速評(píng)估方法是嚴(yán)格考核存儲(chǔ)器空間低劑量率輻射環(huán)境下TID效應(yīng)的必要試驗(yàn)步驟。對(duì)于雙極器件,目前幾種主要的加速評(píng)估方法如下:①高溫高劑量率輻照法;②常溫變劑量率輻照法;③變溫輻照法;④氫氣浸泡輻照法等。