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目前單粒子效應(yīng)的研究手段為地面輻照源模擬

發(fā)布時(shí)間:2019/5/14 21:11:07 訪問(wèn)次數(shù):3631

   單粒子試驗(yàn)源

   目前單粒子效應(yīng)的研究手段為地面輻照源模擬。地面模擬單粒子效應(yīng)的主要輻照試驗(yàn)裝置有如下幾種:①重離子加速器;②锎(252CD源;③脈沖激光源。 M28945-13R重離子加速器可以提供多種能量可變(LET可變)的多種離子,能量高,射程長(zhǎng),可以很好地滿足單粒子效應(yīng)試驗(yàn)的要求。重離子加速器所產(chǎn)生的高能重離子可以直接對(duì)器件進(jìn)行單粒子效應(yīng)的地面模擬,即利用人為環(huán)境測(cè)得的效應(yīng)來(lái)推測(cè)空間天然環(huán)境下的效應(yīng)。利用重離子加速器進(jìn)行單粒子試驗(yàn)的優(yōu)點(diǎn)如下:環(huán)境條件可以人為控制;可以選擇離子的種類、能量、強(qiáng)度,可以進(jìn)行多次反復(fù)的試驗(yàn);試驗(yàn)周期短,所需費(fèi)用少。與空問(wèn)實(shí)際條件相比,加速器離子的通量高,在空間需要很長(zhǎng)時(shí)間累積的通量在加速器上很短時(shí)問(wèn)即可達(dá)到。加速器的離子的能量遠(yuǎn)低于宇宙射線的能量,加速器離子與實(shí)際宇宙射線的離子只是具有相同的LET值,即LET值等效,而非能量等效?蛇M(jìn)行單粒子試驗(yàn)的重離子加速器主要為中國(guó)原子能科學(xué)研究院的串列靜電加速器和中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所的回旋加速器。

   锎(25℃O源為°s2Cf元素自發(fā)裂變碎片源,裂變產(chǎn)物的平均LET約為侶McV・cm2/mg,在硅中射程約為15um。由于锎(252Cf)源的射程短,采用锎源進(jìn)行單粒子試驗(yàn)將會(huì)影響器件抗單粒子能力的試驗(yàn)結(jié)果。锎源可以定性地預(yù)估器件的單粒子敏感性,但無(wú)法準(zhǔn)確地定量地評(píng)估器件的抗單粒子能力。因此,一般不采用锎源作為標(biāo)準(zhǔn)中的合格源。脈沖激光源模擬單粒子效應(yīng)的原理和重離子不同。激光主要是利用光電效應(yīng),在材料中產(chǎn)生電荷的軌跡不同于重離子,所測(cè)得的單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)不同于重離子導(dǎo)致的犖粒子效應(yīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù),所以,需要進(jìn)行大量反復(fù)的試驗(yàn),找出脈沖激光源與重離子輻照的單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)之間的等效性,才能制定可行的試驗(yàn)程序和方法。而且激光無(wú)法穿透金屬層,對(duì)于靈敏區(qū)在金屬下面的器件,無(wú)法給出準(zhǔn)確的結(jié)果。

   單粒子試驗(yàn)源

   目前單粒子效應(yīng)的研究手段為地面輻照源模擬。地面模擬單粒子效應(yīng)的主要輻照試驗(yàn)裝置有如下幾種:①重離子加速器;②锎(252CD源;③脈沖激光源。 M28945-13R重離子加速器可以提供多種能量可變(LET可變)的多種離子,能量高,射程長(zhǎng),可以很好地滿足單粒子效應(yīng)試驗(yàn)的要求。重離子加速器所產(chǎn)生的高能重離子可以直接對(duì)器件進(jìn)行單粒子效應(yīng)的地面模擬,即利用人為環(huán)境測(cè)得的效應(yīng)來(lái)推測(cè)空間天然環(huán)境下的效應(yīng)。利用重離子加速器進(jìn)行單粒子試驗(yàn)的優(yōu)點(diǎn)如下:環(huán)境條件可以人為控制;可以選擇離子的種類、能量、強(qiáng)度,可以進(jìn)行多次反復(fù)的試驗(yàn);試驗(yàn)周期短,所需費(fèi)用少。與空問(wèn)實(shí)際條件相比,加速器離子的通量高,在空間需要很長(zhǎng)時(shí)間累積的通量在加速器上很短時(shí)問(wèn)即可達(dá)到。加速器的離子的能量遠(yuǎn)低于宇宙射線的能量,加速器離子與實(shí)際宇宙射線的離子只是具有相同的LET值,即LET值等效,而非能量等效?蛇M(jìn)行單粒子試驗(yàn)的重離子加速器主要為中國(guó)原子能科學(xué)研究院的串列靜電加速器和中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所的回旋加速器。

   锎(25℃O源為°s2Cf元素自發(fā)裂變碎片源,裂變產(chǎn)物的平均LET約為侶McV・cm2/mg,在硅中射程約為15um。由于锎(252Cf)源的射程短,采用锎源進(jìn)行單粒子試驗(yàn)將會(huì)影響器件抗單粒子能力的試驗(yàn)結(jié)果。锎源可以定性地預(yù)估器件的單粒子敏感性,但無(wú)法準(zhǔn)確地定量地評(píng)估器件的抗單粒子能力。因此,一般不采用锎源作為標(biāo)準(zhǔn)中的合格源。脈沖激光源模擬單粒子效應(yīng)的原理和重離子不同。激光主要是利用光電效應(yīng),在材料中產(chǎn)生電荷的軌跡不同于重離子,所測(cè)得的單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)不同于重離子導(dǎo)致的犖粒子效應(yīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù),所以,需要進(jìn)行大量反復(fù)的試驗(yàn),找出脈沖激光源與重離子輻照的單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)之間的等效性,才能制定可行的試驗(yàn)程序和方法。而且激光無(wú)法穿透金屬層,對(duì)于靈敏區(qū)在金屬下面的器件,無(wú)法給出準(zhǔn)確的結(jié)果。

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