單粒子效應(yīng)試驗(yàn)標(biāo)硅
發(fā)布時(shí)間:2019/5/15 20:09:59 訪問(wèn)次數(shù):4911
單粒子效應(yīng)試驗(yàn)標(biāo)硅
GJB7242和QJ10005~⒛08是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件進(jìn)行重離子單粒子效應(yīng)試驗(yàn)的通用標(biāo)準(zhǔn)。GJB7γ2-20I1是國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn),而QJ10005―2008是航天行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),二者的內(nèi)容基本相同,其主要內(nèi)容如表3-14所示。G690L293T73UF
關(guān)干單粒子試驗(yàn)流程,GJB7⒉2―⒛1l中給出了單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)和單粒子鎖定(sEL)試驗(yàn)流程示意圖,具體流程如圖3-17和圖3-18所示。
圖3-17 單粒子鎖定(sEL)試驗(yàn)流程示意圖
由于每一種器件的單粒子效應(yīng)的表征形式各不相同,不同器件的單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)有很大的區(qū)別。單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)由被試器件的類型和功能決定,GJB”緄-201l和QJ lO005―2008對(duì)單粒子測(cè)試系統(tǒng)提出了如下要求:
(1)能夠?qū)ζ骷M(jìn)行初始化設(shè)置;
(2)能夠?qū)ζ骷M(jìn)行功能測(cè)試,具有良好的測(cè)試覆蓋性;
(3)具有單粒子效應(yīng)的診斷和記錄功能;
(4)具有自動(dòng)復(fù)位或手動(dòng)復(fù)位功能;
(5)具有良好的抗電磁干擾能力;
(6)具有可控的有效測(cè)試時(shí)間、電流監(jiān)測(cè)和鎖定損傷保護(hù)能力。
單粒子效應(yīng)試驗(yàn)標(biāo)硅
GJB7242和QJ10005~⒛08是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件進(jìn)行重離子單粒子效應(yīng)試驗(yàn)的通用標(biāo)準(zhǔn)。GJB7γ2-20I1是國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn),而QJ10005―2008是航天行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),二者的內(nèi)容基本相同,其主要內(nèi)容如表3-14所示。G690L293T73UF
關(guān)干單粒子試驗(yàn)流程,GJB7⒉2―⒛1l中給出了單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)和單粒子鎖定(sEL)試驗(yàn)流程示意圖,具體流程如圖3-17和圖3-18所示。
圖3-17 單粒子鎖定(sEL)試驗(yàn)流程示意圖
由于每一種器件的單粒子效應(yīng)的表征形式各不相同,不同器件的單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)有很大的區(qū)別。單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)由被試器件的類型和功能決定,GJB”緄-201l和QJ lO005―2008對(duì)單粒子測(cè)試系統(tǒng)提出了如下要求:
(1)能夠?qū)ζ骷M(jìn)行初始化設(shè)置;
(2)能夠?qū)ζ骷M(jìn)行功能測(cè)試,具有良好的測(cè)試覆蓋性;
(3)具有單粒子效應(yīng)的診斷和記錄功能;
(4)具有自動(dòng)復(fù)位或手動(dòng)復(fù)位功能;
(5)具有良好的抗電磁干擾能力;
(6)具有可控的有效測(cè)試時(shí)間、電流監(jiān)測(cè)和鎖定損傷保護(hù)能力。
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