sRAM器件的單粒子翻轉(zhuǎn)測試系統(tǒng)

   圖3-22所示為sRAM器件單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)測試系統(tǒng)示意圖。單片機(jī)控制被試sRAM器件的讀/寫,以及測試圖形與預(yù)定圖形的對比,并將比對結(jié)果發(fā)送給上位機(jī)并在計算機(jī)屏幕中顯示出來。

   sRAM器件的單粒子翻轉(zhuǎn)測試可以分為靜態(tài)測試模式和動態(tài)測試模式兩類,具體如下:GAL20V8B-10LPI

   靜態(tài)測試模式

   試驗前器件預(yù)先寫入特定的測試圖形,試驗開始后按順序讀出每個地址位的圖形與預(yù)先圖形進(jìn)行比較,如果存在刀不同,sEU翻轉(zhuǎn)計數(shù)為刀,通過UsB數(shù)據(jù)傳輸?shù)竭h(yuǎn)程控制機(jī)上顯示出來。數(shù)據(jù)出現(xiàn)翻轉(zhuǎn)后,作為后續(xù)的基礎(chǔ)狀態(tài),后續(xù)讀出的數(shù)據(jù)與之比較,相同則沒有翻 轉(zhuǎn),如果存在仰不同,sEU翻轉(zhuǎn)計數(shù)為刀+淝。靜態(tài)測試模式和動態(tài)測試模式的測試示意圖如圖3-23所示。