國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)研分析

   在半導(dǎo)體器件總劑量輻照試驗(yàn)方面,國(guó)內(nèi)主M24C02-WDW6TP要'總劑量輻照試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)如表3-6所示。

   表⒊6 國(guó)內(nèi)總劑量輻照試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及方法

   GJB548B(等同MIL883)方法1019、GJB128A方法1019是現(xiàn)行的集成電路及分立器件總劑量輻照試驗(yàn)方法。QJ10OO4宇航用半導(dǎo)體器件總劑量試驗(yàn)方法是國(guó)內(nèi)最新推出的針對(duì)宇航用半導(dǎo)體器件的總劑量輻照試驗(yàn)和程序。表3-7'總結(jié)了GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ10004的不同之處。 lf以看出,GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ1OO⒄在試驗(yàn)的退火條件、試驗(yàn)時(shí)序及輻射過(guò)程中的溫度和測(cè)試溫度等存在差別。

  表⒊7 元器件總劑量輻射試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)分析