國內(nèi)相關標準調(diào)研分析
發(fā)布時間:2019/5/14 20:36:13 訪問次數(shù):4488
國內(nèi)相關標準調(diào)研分析
在半導體器件總劑量輻照試驗方面,國內(nèi)主M24C02-WDW6TP要'總劑量輻照試驗標準如表3-6所示。
表⒊6 國內(nèi)總劑量輻照試驗標準及方法
GJB548B(等同MIL883)方法1019、GJB128A方法1019是現(xiàn)行的集成電路及分立器件總劑量輻照試驗方法。QJ10OO4宇航用半導體器件總劑量試驗方法是國內(nèi)最新推出的針對宇航用半導體器件的總劑量輻照試驗和程序。表3-7'總結了GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ10004的不同之處。 lf以看出,GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ1OO⒄在試驗的退火條件、試驗時序及輻射過程中的溫度和測試溫度等存在差別。
表⒊7 元器件總劑量輻射試驗標準分析
國內(nèi)相關標準調(diào)研分析
在半導體器件總劑量輻照試驗方面,國內(nèi)主M24C02-WDW6TP要'總劑量輻照試驗標準如表3-6所示。
表⒊6 國內(nèi)總劑量輻照試驗標準及方法
GJB548B(等同MIL883)方法1019、GJB128A方法1019是現(xiàn)行的集成電路及分立器件總劑量輻照試驗方法。QJ10OO4宇航用半導體器件總劑量試驗方法是國內(nèi)最新推出的針對宇航用半導體器件的總劑量輻照試驗和程序。表3-7'總結了GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ10004的不同之處。 lf以看出,GJB548B方法1019、GJB128A方法1019和QJ1OO⒄在試驗的退火條件、試驗時序及輻射過程中的溫度和測試溫度等存在差別。
表⒊7 元器件總劑量輻射試驗標準分析
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