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非塑封器件的芯片超聲檢查主要對芯片接觸區(qū)的空洞進行檢測

發(fā)布時間:2019/5/18 19:45:22 訪問次數(shù):5808

   非塑封器件的芯片超聲檢查主要對芯片接觸區(qū)的空洞進行檢測,在檢測過程中由于安裝材料的特殊性會影響檢測的結(jié)果,如果不能顯示真正的空洞或不能對檢測結(jié)果進行明確時,G4PC50W對此類器件應在檢測報告中注明安裝材料。

   塑封半導體器件的超聲檢查主要對塑封器件的內(nèi)部裂紋、空洞和分層進行檢查,具體檢查內(nèi)容如下。

   (1)塑封鍵合絲上的裂紋、從引線腳延伸至任一其他內(nèi)部部件(引腳、芯片、芯片黏結(jié)側(cè)翼)的內(nèi)部裂紋、導致表面破碎的包封上的任何裂紋。

   (2)跨越鍵合絲的塑封料的任何空洞。

   (3)塑封料和芯片之間的分層、引線引出端焊板與塑封料之間界面上的分層、引腳和塑封料之間的分層(L側(cè)或后側(cè))、連筋頂部的分層。根據(jù)對聲學掃描顯微鏡檢查標準中拒收判據(jù)的分析,發(fā)現(xiàn)分層位置、分層面積大小和裂紋跨度這三個因素是影響聲掃結(jié)果的關鍵因素,由此表明:

   (1)芯片表面的界面分層是極其敏感的;

   (2)包括鍵合絲區(qū)域的引腳界面的分層是極其敏感的;

   (3)任何包括鍵合絲的塑封料裂紋是極其敏感的。

   因此,在對半導體器件進行聲學掃描顯微鏡檢查時,需要對以上部位重點關注。構成塑封器件失效的主要模式如下:塑封和芯片之間任何可測量的分層(見圖4-30);包括鍵合絲區(qū)域的引腳分層(見圖4-31);引腳從塑封完全剝離(上側(cè)或后側(cè))(見圖4-32);引線引出端焊板與塑封間界面上,分層面積超過其后側(cè)區(qū)域面積的1/2(見圖⒋33)。

  

   非塑封器件的芯片超聲檢查主要對芯片接觸區(qū)的空洞進行檢測,在檢測過程中由于安裝材料的特殊性會影響檢測的結(jié)果,如果不能顯示真正的空洞或不能對檢測結(jié)果進行明確時,G4PC50W對此類器件應在檢測報告中注明安裝材料。

   塑封半導體器件的超聲檢查主要對塑封器件的內(nèi)部裂紋、空洞和分層進行檢查,具體檢查內(nèi)容如下。

   (1)塑封鍵合絲上的裂紋、從引線腳延伸至任一其他內(nèi)部部件(引腳、芯片、芯片黏結(jié)側(cè)翼)的內(nèi)部裂紋、導致表面破碎的包封上的任何裂紋。

   (2)跨越鍵合絲的塑封料的任何空洞。

   (3)塑封料和芯片之間的分層、引線引出端焊板與塑封料之間界面上的分層、引腳和塑封料之間的分層(L側(cè)或后側(cè))、連筋頂部的分層。根據(jù)對聲學掃描顯微鏡檢查標準中拒收判據(jù)的分析,發(fā)現(xiàn)分層位置、分層面積大小和裂紋跨度這三個因素是影響聲掃結(jié)果的關鍵因素,由此表明:

   (1)芯片表面的界面分層是極其敏感的;

   (2)包括鍵合絲區(qū)域的引腳界面的分層是極其敏感的;

   (3)任何包括鍵合絲的塑封料裂紋是極其敏感的。

   因此,在對半導體器件進行聲學掃描顯微鏡檢查時,需要對以上部位重點關注。構成塑封器件失效的主要模式如下:塑封和芯片之間任何可測量的分層(見圖4-30);包括鍵合絲區(qū)域的引腳分層(見圖4-31);引腳從塑封完全剝離(上側(cè)或后側(cè))(見圖4-32);引線引出端焊板與塑封間界面上,分層面積超過其后側(cè)區(qū)域面積的1/2(見圖⒋33)。

  

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