試驗(yàn)標(biāo)硅

   20世紀(jì)70年代,R.Thomas在總結(jié)大量試驗(yàn)數(shù)據(jù)后提出將單位大氣壓下0℃時(shí)水汽的露點(diǎn)(ω00ppm)作為合格判據(jù)。M12L128168A-7TG國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn),如MIL-STD-883、GJB548等,參考R.Thomas的數(shù)據(jù),結(jié)合封裝器件內(nèi)部的裂隙、表面氧化等利于水汽凝結(jié)的實(shí)際情況,規(guī)定腔體體積介于0.01~0.85cm3的封裝元器件內(nèi)水汽含量不大于5000ppm作為合格判據(jù),對(duì)于水汽敏感器件或宇航器件則應(yīng)加嚴(yán)到⒛00ppm以下。除了在MIL-s-19500中規(guī)定了氧氣的含量不允許超過(guò)1000ppm外,對(duì)于封裝管殼內(nèi)的其他氣氛組成和含量則沒(méi)有判據(jù),其含量百分比僅作為元器件生產(chǎn)工藝改進(jìn)和適用環(huán)境選擇的參考。

   在GJB597、GJB2鯧8、GJB4Ⅱ7、GJB65等相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)中都有引用GJB548方法1018開(kāi)展內(nèi)部水汽含量檢測(cè)的要求,主要針對(duì)的器件包括單片集成電路、混合和多片集成電路、聲表面波器件和繼電器等。此外,引用G田128方法1018開(kāi)展內(nèi)部水汽含量檢測(cè)的半導(dǎo)體

分立器件和光電子器件等器件的檢測(cè)方法,則與GJB548的方法完全相同。