潛在拒收的驗(yàn)證。若承制方愿意,應(yīng)允許提交樣品或呈現(xiàn)同一拒收模式的鄰近位置樣品作驗(yàn)證試驗(yàn), GAL16V8D-15QJ 下面給出幾個(gè)合適的驗(yàn)證試驗(yàn)事例。

   ①橫截剖面:用解理或研磨方法將經(jīng)鈍化的樣品待查部位切開(kāi)做剖面,然后可對(duì)樣品進(jìn)行腐蝕,去除檢查面上的互連金屬層。如果表面電荷不是關(guān)鍵問(wèn)題,并能獲得合適的分辨率和信噪比,在樣品表面可不加敷層進(jìn)行檢查。若要給樣品表面加敷層,應(yīng)采用氣相淀積或?yàn)R射的方法形成合適的導(dǎo)電材料薄膜(如10nm的金層)。應(yīng)控制敷層淀積過(guò)程,使敷層形成過(guò)程中不會(huì)引入多余物。樣品經(jīng)準(zhǔn)備處理后,進(jìn)行SEM檢查,包括檢查互連金屬化層的厚度、鈍化層臺(tái)階覆蓋百分比或其他有關(guān)參數(shù)。

   這一橫截剖面技術(shù)對(duì)發(fā)絲狀裂紋得不出確切結(jié)論,因?yàn)樗鼈儾荒鼙烩g化材料適當(dāng)填充。

   在做橫截剖面時(shí)應(yīng)小心,使其靠近接觸窗口的中心,以避免因接觸窗口變圓引起尺寸誤差。

   ②表面腐蝕:對(duì)未做玻璃鈍化的樣品表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕,以己知的受控速率腐蝕芯片表面的互連金屬層。當(dāng)要求的金屬層厚度被腐蝕掉后,停止腐蝕,然后做樣品準(zhǔn)各,用sEM檢查鈍化層臺(tái)階/接觸窗口界面處的剩余金屬層。應(yīng)對(duì)樣品拍照,幫助確定接收

與否。

   ③拓?fù)湔w圖:以方向邊為中心拍一組照片,在合適的圖紙上按比例繪制最壞情況橫截面積剖面,并將其組合成整體橫截面積剖面拓?fù)鋱D。這一技術(shù)對(duì)評(píng)價(jià)不平整表面上的金屬化層是很有用的。