樣品檢查的詳細(xì)要求GAL16V8D-15QJ

   應(yīng)按下述規(guī)定進(jìn)行檢查。表⒋19概括了這些規(guī)定。

   1)一般金屬化層

   采用低放大倍數(shù),在每個芯片上至少應(yīng)檢查25%或6.5mm2(取小者)的一般金屬化層,以發(fā)現(xiàn)剝皮、翹起、空洞、小丘之類的缺陷。應(yīng)對金屬化層中的每一層都進(jìn)行檢查。

    (l)多層金屬和多層布線金屬互連系統(tǒng)。對每一層布線中淀積形成的每一層金屬都應(yīng)進(jìn)行檢查。應(yīng)該在用合適的腐蝕液去除掉玻璃鈍化層后,對載流層進(jìn)行sEM檢查。

   (2)阻擋層/附著層�？砂聪率鰞煞N不同方式檢查阻擋層/附著層。

   ①作為非導(dǎo)體的阻擋層/附著層。若設(shè)計中由阻擋層/附著層傳導(dǎo)的電流不到總電流的10%,則它們只作阻擋層/附著層。因此,這種阻擋層/附著層將不參與電流密度的計算,無須要求其滿足臺階覆蓋的要求。只要求阻擋層/附著層能覆蓋住按設(shè)計需要起阻擋/附著作用的區(qū)域,承制方應(yīng)提供已實現(xiàn)這些作用的證據(jù)。當(dāng)估算金屬層臺階覆蓋百分比時,不應(yīng)將阻擋層/附著層的厚度記入主要導(dǎo)電層的厚度中。因此,主要導(dǎo)電層應(yīng)滿足臺階覆蓋百分比。

   ②作為導(dǎo)體的阻擋層/附著層。如果至少有10%的電流按設(shè)計應(yīng)由該層傳導(dǎo),且該層參與電流密度的計算,則應(yīng)將阻擋層/附著層看作導(dǎo)體(考慮其層厚和相對電導(dǎo)率)。在這一情況下,阻擋層/附著層及主要導(dǎo)電層均應(yīng)分別滿足所有臺階覆蓋要求�？刹捎肧EM或光學(xué)顯微鏡檢查阻擋層/附著層。