集成電路測(cè)試支撐技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2019/6/20 20:46:46 訪問次數(shù):746
集成電路測(cè)試支撐技術(shù) R1240N001B-TR-FE
目前,大規(guī)模集成電路由于自身集成度高、功能復(fù)雜,測(cè)試開發(fā)難度大,周期也較長(zhǎng),大規(guī)模集成電路測(cè)試開發(fā)過程可以分為以下五個(gè)階段。
(1)測(cè)試計(jì)劃制訂階段:根據(jù)產(chǎn)品特點(diǎn),選取ATE平臺(tái),并根據(jù)DUT的類型、頻率、功耗、引腳數(shù)等信息,合理配置測(cè)試設(shè)備資源,包括數(shù)字通道、模擬選件,甚至是射頻(RF)能力,并制訂詳細(xì)的測(cè)試計(jì)劃。
(2)設(shè)計(jì)階段:根據(jù)DUT的封裝形式,選購(gòu)或定制測(cè)試座(∞ckct或∞ntactor),并設(shè)計(jì)DUT到ATE的硬件接口,實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)的連通。
(3)測(cè)試程序開發(fā)階段:在進(jìn)行測(cè)試接口板或測(cè)試探卡加工的同時(shí),開發(fā)測(cè)試程序,包括生成測(cè)試信道配置(pin)文件、編寫信號(hào)電平(lcvcl)文件、測(cè)試向量?jī)?yōu)化和轉(zhuǎn)換(timing&妮ctor)、模擬信號(hào)測(cè)試編程、離線(oⅢine)調(diào)試,等等。
(4)技術(shù)支持階段:由芯片設(shè)計(jì)人員配合,進(jìn)行測(cè)試程序的在線(⑾linc)調(diào)試,并根據(jù)實(shí)際測(cè)試結(jié)果提出產(chǎn)品改進(jìn)意見。
(5)生產(chǎn)轉(zhuǎn)換階段:主要進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試程序的優(yōu)化和自動(dòng)送料器(handler)的配置,盡量提高測(cè)試效率,縮短芯片測(cè)試時(shí)間。ATE測(cè)試開發(fā)周期長(zhǎng),過程復(fù)雜,其中包含許多重要研究方面,如測(cè)試接口板設(shè)計(jì)、測(cè)試向量轉(zhuǎn)換、測(cè)試程序調(diào)試、測(cè)試程序優(yōu)化等。
集成電路測(cè)試支撐技術(shù) R1240N001B-TR-FE
目前,大規(guī)模集成電路由于自身集成度高、功能復(fù)雜,測(cè)試開發(fā)難度大,周期也較長(zhǎng),大規(guī)模集成電路測(cè)試開發(fā)過程可以分為以下五個(gè)階段。
(1)測(cè)試計(jì)劃制訂階段:根據(jù)產(chǎn)品特點(diǎn),選取ATE平臺(tái),并根據(jù)DUT的類型、頻率、功耗、引腳數(shù)等信息,合理配置測(cè)試設(shè)備資源,包括數(shù)字通道、模擬選件,甚至是射頻(RF)能力,并制訂詳細(xì)的測(cè)試計(jì)劃。
(2)設(shè)計(jì)階段:根據(jù)DUT的封裝形式,選購(gòu)或定制測(cè)試座(∞ckct或∞ntactor),并設(shè)計(jì)DUT到ATE的硬件接口,實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)的連通。
(3)測(cè)試程序開發(fā)階段:在進(jìn)行測(cè)試接口板或測(cè)試探卡加工的同時(shí),開發(fā)測(cè)試程序,包括生成測(cè)試信道配置(pin)文件、編寫信號(hào)電平(lcvcl)文件、測(cè)試向量?jī)?yōu)化和轉(zhuǎn)換(timing&妮ctor)、模擬信號(hào)測(cè)試編程、離線(oⅢine)調(diào)試,等等。
(4)技術(shù)支持階段:由芯片設(shè)計(jì)人員配合,進(jìn)行測(cè)試程序的在線(⑾linc)調(diào)試,并根據(jù)實(shí)際測(cè)試結(jié)果提出產(chǎn)品改進(jìn)意見。
(5)生產(chǎn)轉(zhuǎn)換階段:主要進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試程序的優(yōu)化和自動(dòng)送料器(handler)的配置,盡量提高測(cè)試效率,縮短芯片測(cè)試時(shí)間。ATE測(cè)試開發(fā)周期長(zhǎng),過程復(fù)雜,其中包含許多重要研究方面,如測(cè)試接口板設(shè)計(jì)、測(cè)試向量轉(zhuǎn)換、測(cè)試程序調(diào)試、測(cè)試程序優(yōu)化等。
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