解讀測(cè)試相關(guān)標(biāo)硅

   GB/T 4023-1997《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第2部分:整流二極管》是20世紀(jì)90年代根據(jù)IEC⒎7-2∶1983以及19呢、1993年兩次修訂的技術(shù)內(nèi)容而制定的。 ECG015《GB/T―1995半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管》根據(jù)IEC⒎7―3∶1985以及

1991年第一次次修訂的技術(shù)內(nèi)容而制定。這兩部標(biāo)準(zhǔn)至今在在二極管領(lǐng)域仍在沿用。別主要涉及整流二極管和信號(hào)二極管、電壓基準(zhǔn)二極管、電壓調(diào)整二極管的一些相關(guān)術(shù)語、文字符號(hào)、額定值和特性、測(cè)試方法以及接收和可靠性的相關(guān)內(nèi)容,同時(shí)二者結(jié)合當(dāng)時(shí)的技術(shù)現(xiàn)狀在相應(yīng)EC標(biāo)準(zhǔn)上增加了部分術(shù)語以及定義。

    GB/T 4587―1994《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管》等同采用IEC7鉀-7∶1988,其給出了小功率晶體管(不包括開關(guān)用的)、功率晶體管(不包括開關(guān)和高頻用的)、放大和振蕩用高頻高頻功率晶體管和開關(guān)用晶體管的標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了一些相關(guān)術(shù)語、文字符號(hào)、額定值和特性、測(cè)試方法以及接收和可靠性的相關(guān)內(nèi)容。GB/T4586-19%《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管》根據(jù)IECTz+7-8∶1984以及1”1年修訂的技術(shù)內(nèi)容而制定的。其給出了結(jié)柵型、絕緣柵耗盡型以及絕緣柵增強(qiáng)型的標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了一些相關(guān)術(shù)語、文字符號(hào)、額定值和特性、測(cè)試方法以及接收和可靠性的相關(guān)內(nèi)容。

   GB/T15291―%《半導(dǎo)體器件第6部分晶閘管》根據(jù)IEC  7476∶1983以及1991年修訂的技術(shù)內(nèi)容而制定的。其規(guī)定了晶閘管的一些術(shù)語、文字符號(hào)、額定值和特性、測(cè)試方法以及接收和可靠性的相關(guān)內(nèi)容。適用于反向阻斷晶閘管、雙向三極晶閘管、環(huán)境額定雙向二極晶閘管和反向?qū)ňчl管。