寄生參數(shù)測試原理及方法

  1.電容類A1020B-CQ84M

   VDMOS管類電容參數(shù)為:輸入電容Gss、輸出電容Gss、反向傳輸電容Gss,電容的大小一般在pF數(shù)量級,上述3個參數(shù)測試原理基本相同,測試原理可以參考GB/T笱86-19%標(biāo)準(zhǔn)中第Ⅳ章測試方法第7條“小信號短路輸入電容”、第9條“小信號短路輸出電容”和第11條“小信號短路反饋電容”條款。

   上述標(biāo)準(zhǔn)的基本原理為在規(guī)定的偏置條件下,通過電容測試儀測量相應(yīng)的電容值。隨著技術(shù)的發(fā)展,基于上述基本原理,結(jié)合計(jì)算機(jī)自動控制技術(shù),出現(xiàn)了自動掃描測試方法,基本原理如圖5-60所示。

   圖5ˉ60 測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖

   此測試系統(tǒng)主要包括計(jì)算機(jī)、測試主機(jī)和電容測試盒,測試主機(jī)由專業(yè)LCR測試儀、可編程電源、數(shù)據(jù)總結(jié)組成,可以進(jìn)行不同‰s電壓條件下的銖s、Gss、Gss測試。MOs管器件的電容不是一個固定值,它會隨著/Ds偏置電壓的升高而以10倍以上的速度快速下降。該方法的測試優(yōu)勢是可以按照0.1V的電壓精度掃描電容的變化,得到電容隨電源電壓偏置變化的曲線。

   由于電容值數(shù)量級為pF級,為保證測試精度,測試頻率通常在1OOkHz~2MHz,國外手冊條件通常定在1MHz。一般情況下,三個電容之間的關(guān)系為Gs冫Gss>Gss。