絕緣電阻

   低頻連接器通常在間距最近的接觸件之間及連接器外殼與最靠近外殼的接觸件之間進(jìn)行測(cè)量。按照GJB1217A-20⒆方法300~s規(guī)定試驗(yàn)電壓為500V±50V直流,時(shí)間為2min;而GⅣT5095.2-19”方法3a規(guī)定試驗(yàn)電壓有直流10V±1V、100V±15V、500V±50V三擋加以選擇,時(shí)間為ω畦5s。 H5DU2562GFR-E3CR

   接觸電阻

   按照GJB1217A~⒛09方法30∝規(guī)定將連接器接觸件通過規(guī)定的直流電流,用電壓表探針測(cè)量接觸件兩端的電壓降,從而計(jì)算得到接觸電阻的數(shù)值。而GB/T5095.2-19叨方法⒛:規(guī)定電流法規(guī)定接觸件通過額定交流或直流電流進(jìn)行測(cè)量接觸電阻,交流測(cè)量的頻率應(yīng)不超過2kHz。有爭(zhēng)議時(shí),以直流測(cè)量為準(zhǔn)。試驗(yàn)時(shí)的電源的直流或交流峰值電壓不超過ωV,但應(yīng)不小于1V。

    當(dāng)進(jìn)行直流測(cè)量時(shí),采用正反兩方向測(cè)量,以正反兩方向通過電流時(shí)測(cè)量的接觸電阻的平均值作為最終的判定依據(jù)。

   磁導(dǎo)率

   采用磁導(dǎo)率為2,0的標(biāo)準(zhǔn)極片,將手持式磁導(dǎo)率測(cè)試儀的磁鐵交替地施加在連接器上,并從連接器表面細(xì)心移動(dòng)下來。如果標(biāo)準(zhǔn)極片落下磁鐵,則產(chǎn)品的磁導(dǎo)率大于2.0,構(gòu)成失效。

   外殼間導(dǎo)電性

   采用半徑最小為1.3mm的球端頭探針進(jìn)行測(cè)量。從連接器插頭尾部附件螺紋上一點(diǎn)至插座安裝法蘭盤靠近安裝孔的位置。試驗(yàn)最大直流電壓為15V,產(chǎn)生10A±0.lA直流電流。