逆導(dǎo)晶閘管
發(fā)布時(shí)間:2019/7/14 19:12:39 訪問次數(shù):1586
逆導(dǎo)晶閘管
逆導(dǎo)晶閘管(Rerse Conducting T”ristor,RCT)是將晶間管和整流管制作在同一管芯上的集成元件,其等效電路及伏安特性如圖⒈13所示。LM1117MP-ADJ/NOPB
圖⒈13 逆導(dǎo)晶閘管的等效電路及伏安特性
由于逆導(dǎo)晶閘管等效于反并聯(lián)的普通晶閘管和整流管,因此在使用時(shí),將使器件的數(shù)目減少、裝置體積縮小、質(zhì)量減小、價(jià)格降低和配線簡(jiǎn)單。但也因晶閘管和整流管制作在同一管芯上,故它只能應(yīng)用于某些場(chǎng)合。
光控晶閘管
光控晶間管(ught Atˉthated Thy0stor)是利用一定波長(zhǎng)的光照信號(hào)控制的開關(guān)器件。其結(jié)構(gòu)也是由P1N1P2N24層構(gòu)成的,其符號(hào)和等效電路如圖⒈14所示。小功率光控晶閘管只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K),大功率光控晶閘管除有陽(yáng)極和陰極之外,還帶有光纜,光纜上裝有作為觸發(fā)光源的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器。光控晶間管可等效成P1N1P2和N1P2N2兩個(gè)晶體管。中間的N1P2部分為兩個(gè)晶體管共有,
這一部分相當(dāng)于一個(gè)光電二極管。在沒有光照的情況下,光電二極管處于截止?fàn)顟B(tài),V1和V2兩個(gè)晶體管都沒有基極電流,整個(gè)電路無(wú)電流流過,即光控晶間管處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)光信號(hào)照射到光電二極管上時(shí),光電二極管導(dǎo)通,有電流λ①流入晶體管V1的基極,經(jīng)放大后V1的集電極電流又流人了V2的基極,再經(jīng)V2放大后其集電極電流重又流人V1的基極,構(gòu)成正反饋過程,直到V1,V2飽和尋通,光控晶間管即由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)人導(dǎo)通狀態(tài)。由于該正反饋的作用,光控晶閘管一旦導(dǎo)通之后,即使元光照也不會(huì)自行阻斷,只有當(dāng)器件上的陽(yáng)極電流降為零或加反向電壓時(shí)才能阻斷。光控晶閘管的伏安特性如圖⒈15所示,光照強(qiáng)度不同,其轉(zhuǎn)折電壓亦不同,轉(zhuǎn)折電壓隨光照強(qiáng)度的增大而降低。
逆導(dǎo)晶閘管
逆導(dǎo)晶閘管(Rerse Conducting T”ristor,RCT)是將晶間管和整流管制作在同一管芯上的集成元件,其等效電路及伏安特性如圖⒈13所示。LM1117MP-ADJ/NOPB
圖⒈13 逆導(dǎo)晶閘管的等效電路及伏安特性
由于逆導(dǎo)晶閘管等效于反并聯(lián)的普通晶閘管和整流管,因此在使用時(shí),將使器件的數(shù)目減少、裝置體積縮小、質(zhì)量減小、價(jià)格降低和配線簡(jiǎn)單。但也因晶閘管和整流管制作在同一管芯上,故它只能應(yīng)用于某些場(chǎng)合。
光控晶閘管
光控晶間管(ught Atˉthated Thy0stor)是利用一定波長(zhǎng)的光照信號(hào)控制的開關(guān)器件。其結(jié)構(gòu)也是由P1N1P2N24層構(gòu)成的,其符號(hào)和等效電路如圖⒈14所示。小功率光控晶閘管只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K),大功率光控晶閘管除有陽(yáng)極和陰極之外,還帶有光纜,光纜上裝有作為觸發(fā)光源的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器。光控晶間管可等效成P1N1P2和N1P2N2兩個(gè)晶體管。中間的N1P2部分為兩個(gè)晶體管共有,
這一部分相當(dāng)于一個(gè)光電二極管。在沒有光照的情況下,光電二極管處于截止?fàn)顟B(tài),V1和V2兩個(gè)晶體管都沒有基極電流,整個(gè)電路無(wú)電流流過,即光控晶間管處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)光信號(hào)照射到光電二極管上時(shí),光電二極管導(dǎo)通,有電流λ①流入晶體管V1的基極,經(jīng)放大后V1的集電極電流又流人了V2的基極,再經(jīng)V2放大后其集電極電流重又流人V1的基極,構(gòu)成正反饋過程,直到V1,V2飽和尋通,光控晶間管即由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)人導(dǎo)通狀態(tài)。由于該正反饋的作用,光控晶閘管一旦導(dǎo)通之后,即使元光照也不會(huì)自行阻斷,只有當(dāng)器件上的陽(yáng)極電流降為零或加反向電壓時(shí)才能阻斷。光控晶閘管的伏安特性如圖⒈15所示,光照強(qiáng)度不同,其轉(zhuǎn)折電壓亦不同,轉(zhuǎn)折電壓隨光照強(qiáng)度的增大而降低。
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