絕緣柵雙極型晶體管的特性

   (1)伏安特性 NL17SZ14DFT2G

   IGBT的伏安特性是指以柵射電壓UGE作為參變量時(shí)集電極電流Ⅰc和集射電壓L「tsE之間的關(guān)系曲線,也稱為輸出特性,如圖⒈31(a)所示。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,不同之處在于IGBT的控制變量是柵射電壓△「Gr,而BJT的控制變量是基極電流Ⅰ:。IGBT的伏安特性也分3個(gè)區(qū)域:正向阻斷區(qū)、有源放大區(qū)和飽和區(qū),這分別與BJT的截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)相對(duì)應(yīng)。當(dāng)柵射電壓嘸E<柵射極開啟電壓嘸(⑾時(shí),IGBT工作于阻斷狀態(tài);當(dāng)u汜)LTα曲)時(shí),VDMOS溝道體區(qū)內(nèi)形成導(dǎo)電溝道,IGBT進(jìn)入正向?qū)顟B(tài)。正向?qū)▍^(qū)又分為有源放大區(qū)和飽和區(qū)。在電力電子電路中,開關(guān)器件IGBT常I作于飽和狀態(tài)和阻斷狀態(tài),若IGBT工作于放大狀態(tài),將會(huì)增大IGBT的損耗。

   (2)轉(zhuǎn)移特性

   IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出集電極電流Ⅰc與柵射電壓嘸E之間的關(guān)系曲線,如圖⒈31(b)所示。IGBT的轉(zhuǎn)移特性與功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同。當(dāng)柵射電壓UGE(【,α⑾時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài);當(dāng)嘸E>u×ω時(shí),IGBT導(dǎo)通。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),Jc與L廠GE呈線性關(guān)系。