絕緣柵雙極型晶體管的主要參數(shù)
發(fā)布時間:2019/7/16 21:10:59 訪問次數(shù):1312
絕緣柵雙極型晶體管的主要參數(shù)
①集射極擊穿電壓BLTcEl)
它是IGBT集射極所能承受的最大電壓值,是根據(jù)器件的雪崩擊穿電壓而規(guī)定的。 NT5CB64M16DP-CF
②柵射極額定電壓UG$
IGBT是電壓控制器件,靠加到柵極的電壓信號來控制IGBT的導通和關(guān)斷,而u)凼是柵極的電壓控制信號額定值。通常IGBT對柵極的電壓控制信號相當敏感,只有電壓在額定電壓值很小的范圍內(nèi),才能使IGBT導通而不致?lián)p壞。
③柵射極開啟電壓%(⑾
它是指使IGBT導通所需的最小柵射極電壓。通常,IGBT的開啟電壓△廠α tω為3~5,5V。
④集電極最大電流Ic・M
它是指在額定的測試溫度(殼溫為25℃)條件下,IGBT所允許的集電極最大直流電流。
⑤集射極飽和電壓LJlˉF(sat
它是IGBT在飽和導通時,通過額定電流的集射極電壓,代表了IGBT的通態(tài)損耗大小。通常IGBT的集射極飽和電壓uⅡsttl為1.5~3V。
絕緣柵雙極型晶體管的主要參數(shù)
①集射極擊穿電壓BLTcEl)
它是IGBT集射極所能承受的最大電壓值,是根據(jù)器件的雪崩擊穿電壓而規(guī)定的。 NT5CB64M16DP-CF
②柵射極額定電壓UG$
IGBT是電壓控制器件,靠加到柵極的電壓信號來控制IGBT的導通和關(guān)斷,而u)凼是柵極的電壓控制信號額定值。通常IGBT對柵極的電壓控制信號相當敏感,只有電壓在額定電壓值很小的范圍內(nèi),才能使IGBT導通而不致?lián)p壞。
③柵射極開啟電壓%(⑾
它是指使IGBT導通所需的最小柵射極電壓。通常,IGBT的開啟電壓△廠α tω為3~5,5V。
④集電極最大電流Ic・M
它是指在額定的測試溫度(殼溫為25℃)條件下,IGBT所允許的集電極最大直流電流。
⑤集射極飽和電壓LJlˉF(sat
它是IGBT在飽和導通時,通過額定電流的集射極電壓,代表了IGBT的通態(tài)損耗大小。通常IGBT的集射極飽和電壓uⅡsttl為1.5~3V。
上一篇:IGBT的開關(guān)特性
上一篇:電力電子器件的驅(qū)動電路
熱門點擊
- 晶閘管的派生器件
- 電容器的品質(zhì)因數(shù)用Q值表示
- 石英晶體諧振器基本結(jié)構(gòu)及工作原理
- 晶閘管中通過的電流波形
- 電感性負載加續(xù)流二極管
- 單邊通信
- 電子行業(yè)的強制標準代號為sJ
- 全局數(shù)據(jù)通信的診斷
- 全局數(shù)據(jù)通信
- 三相交流調(diào)壓器
推薦技術(shù)資料
- 循線機器人是機器人入門和
- 循線機器人是機器人入門和比賽最常用的控制方式,E48S... [詳細]
- AMOLED顯示驅(qū)動芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- GB300 超級芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究