RJZ-0905S由于CMOs門電路輸出級的互補對稱性,其rPLI和JP肌相等。有時也采用平均傳輸延遲時間這一參數(shù),即rpd=(莎pLH+%HL)/2。例如,CMOs與非門74HC00在5V典型工作電壓時的rpLH=7ns,tphl=7ns,tpd=(7+7)ns/2=7ns。在圖3.1.2中還標(biāo)出了上升時間rr和下降時間rF c表3,1,3所示為幾種CMOs集成電路在典型工作電壓時的傳輸延遲時間,由表可見,低電壓和超低電壓電路的工作速度要快得多。

表3.1,3 幾種CMOS電路傳輸延遲時間

功耗是門電路重要參數(shù)之一。功耗有靜態(tài)和動態(tài)之分。所謂靜態(tài)功耗指的是當(dāng)電路的輸出沒有狀態(tài)轉(zhuǎn)換時的功耗。靜態(tài)時,CMOs電路的電流非常小,使得靜態(tài)功耗非常低,所以CMOS電路廣泛應(yīng)用于要求功耗較低或電池供電的設(shè)各,例如便攜計算機(jī)、手機(jī)和掌上電腦等。這些設(shè)各在沒有輸入信號時,功

耗非常低。

CMOs電路在輸出發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)換時的功為動態(tài)功耗。它主要由兩部分組成。其中一部分是由于電路輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換的瞬間,其等效電阻比較小,從而導(dǎo)致有較大的電流從電源經(jīng)CMOS電路流人地。這部分功耗可由下式表示

PT=CPDV2DDF

式中F為輸出信號的轉(zhuǎn)換頻率。VDD為供電電源。CPD稱為功耗電容,可以在數(shù)

據(jù)手冊中查到,74HC系列為20pF,74LVCC系列為15pF。

動態(tài)功耗的另一部分是因為CMOS管的負(fù)載通常是電容性的,當(dāng)輸出由高電平到低電平,或者由低電平到高電平轉(zhuǎn)換時,會對電容進(jìn)行充、放電,這個過程將增加電路的損耗。這部分動態(tài)功耗為

PL=CLV2DDF

式中CL為負(fù)載電容。由此得到CMOS電路總的動態(tài)功耗為

PD=(CPD+CL)V2DDF       (3・1・3)

從上式可見,CMOs動態(tài)功耗正比于轉(zhuǎn)換頻率和電源電壓的平方。當(dāng)工作頻率比較高時,CMOs門的功耗可能會超過TTL門。在設(shè)計CMOs電路時,選用低電源電壓器件,例如3.3Ⅴ供電電源74LVC系列或1.8供電電源74AUC系列,以降低功耗。