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​M68ICS08RK2 集電極開(kāi)路門(mén)電路

發(fā)布時(shí)間:2019/10/12 18:00:55 訪問(wèn)次數(shù):1147

M68ICS08RK2集電極開(kāi)路(0C①)門(mén),它是指TTL門(mén)電路輸出級(jí)BJT管的集電極是開(kāi)路的,如圖3.2.9所示.與0D門(mén)相比,0C門(mén)可以承受較高電壓和較大電流。與0D電路一樣,只有外接上拉電阻電路才能正常工作。外接電阻的計(jì)算與0D門(mén)類(lèi)似,此處不再贅述。

三態(tài)(TSL)輸出門(mén)電路,與CMOs三態(tài)門(mén)一樣,TTL三態(tài)門(mén)也是在普通門(mén)電路的基礎(chǔ)上,增加控制電路構(gòu)成的。圖3,2.10所示為三態(tài)輸出與非門(mén)電路,其中T5、T6和T7構(gòu)成使能控制電路,EⅣ為使能控制輸人端,A、B為與非門(mén)的輸人端。當(dāng)EⅣ=1時(shí),T5處于倒置放大狀態(tài),T6飽和,T7截止,即其集電極相當(dāng)于開(kāi)路。此時(shí)電路處于工作狀態(tài),L=AB。當(dāng)EN=0時(shí),T7導(dǎo)通,使T4的基極鉗制于低電平。同

時(shí)使能端的低電平信號(hào)送到T1的輸入端,迫使T2和T3截止。這樣T3和T4均截止,與輸出端乙相接的上下兩個(gè)支路均開(kāi)路,輸出端處于高阻狀態(tài)。


BiCMOs門(mén)電路的特點(diǎn)在于采用了雙極型BJT管作為CMOs電路的輸出級(jí)。因 EⅣ此這種電路結(jié)合了MOS管的功耗低和雙極型管速度快、驅(qū)動(dòng)力強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),受到用戶(hù)的重視。


圖3.2,11所示為基本的BiCMOs反相器電路,其中,MOs管用符號(hào)M表示,BJT用T表示。MP、MN、M1和M2組成輸人級(jí),T1和T2構(gòu)成推拉式輸出級(jí)。輸入信號(hào)v1同時(shí)作用于MP和MN的柵極。輸人信號(hào)vl為高電平時(shí),MN、M1和T2導(dǎo)通,MP、M2和T1截止,輸出v。為低電平;而當(dāng)oI為低電平時(shí),情況則相反,MP、M2和T1導(dǎo)通,MN、M1和T2截止,輸出o。為高電平。當(dāng)輸出端接有比較大的容性負(fù)載時(shí),雙極型晶體管輸出級(jí)能提供足夠大的電流為容性負(fù)載充電。同理,已充電的電容負(fù)載也能迅速地通過(guò)T2放電。


0C系0pen Collector的縮寫(xiě)。



M68ICS08RK2集電極開(kāi)路(0C①)門(mén),它是指TTL門(mén)電路輸出級(jí)BJT管的集電極是開(kāi)路的,如圖3.2.9所示.與0D門(mén)相比,0C門(mén)可以承受較高電壓和較大電流。與0D電路一樣,只有外接上拉電阻電路才能正常工作。外接電阻的計(jì)算與0D門(mén)類(lèi)似,此處不再贅述。

三態(tài)(TSL)輸出門(mén)電路,與CMOs三態(tài)門(mén)一樣,TTL三態(tài)門(mén)也是在普通門(mén)電路的基礎(chǔ)上,增加控制電路構(gòu)成的。圖3,2.10所示為三態(tài)輸出與非門(mén)電路,其中T5、T6和T7構(gòu)成使能控制電路,EⅣ為使能控制輸人端,A、B為與非門(mén)的輸人端。當(dāng)EⅣ=1時(shí),T5處于倒置放大狀態(tài),T6飽和,T7截止,即其集電極相當(dāng)于開(kāi)路。此時(shí)電路處于工作狀態(tài),L=AB。當(dāng)EN=0時(shí),T7導(dǎo)通,使T4的基極鉗制于低電平。同

時(shí)使能端的低電平信號(hào)送到T1的輸入端,迫使T2和T3截止。這樣T3和T4均截止,與輸出端乙相接的上下兩個(gè)支路均開(kāi)路,輸出端處于高阻狀態(tài)。


BiCMOs門(mén)電路的特點(diǎn)在于采用了雙極型BJT管作為CMOs電路的輸出級(jí)。因 EⅣ此這種電路結(jié)合了MOS管的功耗低和雙極型管速度快、驅(qū)動(dòng)力強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),受到用戶(hù)的重視。


圖3.2,11所示為基本的BiCMOs反相器電路,其中,MOs管用符號(hào)M表示,BJT用T表示。MP、MN、M1和M2組成輸人級(jí),T1和T2構(gòu)成推拉式輸出級(jí)。輸入信號(hào)v1同時(shí)作用于MP和MN的柵極。輸人信號(hào)vl為高電平時(shí),MN、M1和T2導(dǎo)通,MP、M2和T1截止,輸出v。為低電平;而當(dāng)oI為低電平時(shí),情況則相反,MP、M2和T1導(dǎo)通,MN、M1和T2截止,輸出o。為高電平。當(dāng)輸出端接有比較大的容性負(fù)載時(shí),雙極型晶體管輸出級(jí)能提供足夠大的電流為容性負(fù)載充電。同理,已充電的電容負(fù)載也能迅速地通過(guò)T2放電。


0C系0pen Collector的縮寫(xiě)。



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