HM658512LFP-12將上式中7Gs的表達(dá)式代入rD的表達(dá)式,得

rD=o.5×(1+0.4-2JD)2

解出JD=(0.95±0,64)mA,而rDss=o.5 mA,rD不應(yīng)大于IDss,所以rD=0.31 mA,u/csQ =0.4-2rDQ=~o.22Ⅴ,yDsQ =yDD~rDQ(Rd+R) =8.1V。

計(jì)算結(jié)果表明,7DsQ=8.1V>(usQ-7P)=-0.22Ⅴ-(-1V)=0.78V,JFET的確工作在飽和區(qū),與假設(shè)一致。因此前面的計(jì)算正確。

為什么JFET的輸人電阻比MOSFET低?

JFET的柵極與溝道間的PN結(jié)在一般作為放大器件工作時(shí),能用正向偏置嗎?

BJT的發(fā)射結(jié)呢?耗盡型MOSFET呢?

圖5.3.9所示符號(hào)各表示哪種溝道的JFET?其箭頭方向代表什么?

5.3.4 由圖5.3.10所示輸出特性曲線,你能分別判斷它們各代表何種器件嗎?如是JFET管,請(qǐng)說明它屬于何種溝道? 

j=80 uA,VGs=0V

圖5.3.10試分別畫出N溝道和P溝道JFET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性示意圖,并在特性曲線中標(biāo)出JD、vDs、gh、IDss和u等參數(shù),說明vDs、uGs和u在兩種溝道JFET中的極性。

在低噪聲電路的設(shè)計(jì)中,試說明為什么選用JFET而不用BJT?

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是與硅JFET不同之一。具體地說,MESFET遵守下列等式的關(guān)系:

截止區(qū)(us(u)

JD=0                 (5.4.1)

可變電阻區(qū)(tDs≤v Gs-u)

iD=Kn[2(tos-u)1,Ds-is](1+Ds)    (5.4.2)

飽和區(qū)(%s)vcs-%)

jD=Kn(us-7P)2(1+入19 Ds)=rDss(1~u)(1+uo9Ds)(⒌⒋3)

其中溝道長(zhǎng)度調(diào)制參數(shù)入通常在(0.05~0.2)Ⅴˉ1范圍,N溝道MESFET器件u的典型值是(-0.5~-2.5)Ⅴ。

例5.4.1 -N溝道MESFET的參數(shù)民=0,1 mA/Ⅴ2,‰=-1Ⅴ,u=oi1V-1,試畫出MEFSET的輸出特性(在-1Ⅴ(vcs<0范圍內(nèi)以0.2Ⅴ間隔遞增,在畫出輸出特性時(shí),首先忽略,然后考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng))。

解:用附錄的PSPICE程序分析,可得所需曲線如圖5.4.2所示。虛線和實(shí)線分別表示入=0和入=0.1Ⅴˉ1的情況。

圖5.4.2 例5.4.1的輸出特性

例5.4.2 -N溝道MESFET具有參數(shù)Kn=0.1 mA/V2和%=-1Ⅴ,當(dāng)ucs=-0.4V、us=4Ⅴ時(shí),器件工作在飽和區(qū),試計(jì)算在入=0和入=0.1Vˉ1時(shí)的漏極電流iD。

解:在入=0時(shí),漏極電流為

uD=Kn(vcs-7P)2 =(0.1 InA/Ⅴ2)[-0.4Ⅴ-(-1V)]2 =36 uA

當(dāng)入=0.1Ⅴ-1時(shí),漏極電流為jD=Kn(vcs-7P)2(1+λvDs),砷化鎵金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管.

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