p2098金屬一氧化物一半導(dǎo)體(MOs)場(chǎng)效應(yīng)管,5.1.1 圖題5.1.1所示為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性,請(qǐng)分別說(shuō)明各屬于何種溝道。如是增強(qiáng)型,說(shuō)明它的開(kāi)啟電壓u/T=j,如是耗盡型,說(shuō)明它的夾斷電壓k=l(圖中jD的假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極).

5.1.2 一個(gè)MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖題5.1.2所示(其中漏極電流JD的假定正向是它的實(shí)際方向)。試問(wèn):(1)該管是耗盡型還是增強(qiáng)型?(2)是N溝道還是P溝道FET?(3)從這個(gè)轉(zhuǎn)移特性上可求出該FET具有夾斷電壓yP還是開(kāi)啟電壓h?其值等于多少?

5.1.3 已知P溝道耗盡型MOSFET的參數(shù)為KP=0.2n1人/Ⅴ2,u=0.5V,jD=-0.5 mA(假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極)。試求此時(shí)的預(yù)夾斷點(diǎn)柵源電壓抄Gs和漏源電壓矽Ds等于多少?

設(shè)N溝道增強(qiáng)型MOsFET的參數(shù)為%=1Ⅴ,W=100 um,L=5 um,u=1

5.2.7 電路如圖5.2.12a所示,設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為gm1=0.7 ms,入1=入2=0.01V-1。場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作時(shí)的偏置電流了REF=0.2 mA。試求該CMOS共源放大電路的電壓增益j。

5.2.8 電路如圖題5.2.8所示,設(shè)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)為gm1=1 mS,gn2=0.2 mS,且滿足1/gm1<rd和1/gm2<r2,試求找Ⅱ=u/rio

5.2.9 已知電路參數(shù)如圖題5.2.9所示,FET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=1 ms,設(shè)r>Rd。(1)畫(huà)出電路的小信號(hào)等效電路;(2)求電壓增益A,;(3)求放大器的輸人電阻Ri。

5.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)

5.3.1 試從圖5.3.5b的輸出特性中,作出田Ds=4V時(shí)的轉(zhuǎn)移特性。

5.3.2 考慮P溝道FET對(duì)電源極性的要求,試畫(huà)出由這種類型管子組成的共源放大電路。

5.3.3 一個(gè)JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖題5.3.3所示,試問(wèn):(1)它是N溝道還是P溝道的JFET?(2)它的夾斷電壓yP和飽和漏極電流JDss各是多少?

5.3.4 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫(huà)出各種類型FET(包括N溝道、P溝道MOS增強(qiáng)型和耗盡型,JFETP溝道、N溝道耗盡型)的轉(zhuǎn)移特性示意圖,并標(biāo)明各自的開(kāi)啟電壓或夾斷電壓。

5.3.5 四個(gè)FET的轉(zhuǎn)移特性分別如圖題5.3.5a、b,c、d所示,其中漏極電流扌D的假定正向是它的實(shí)際方向。試問(wèn)它們各是哪種類型的FET?

5.3.6 已知電路形式如圖題5.3.6a所示,其中管子的輸出特性如圖題5.3.6b所示,電路參數(shù)為Rd=25 kΩ,R=1,5 kΩ,Rg=5 MΩ,%D=15Ⅴ。試用圖解法和計(jì)算法求靜態(tài)工作點(diǎn)0。

5.3.7 在圖題5.3.7所示FET放大電路中,已知yDD=20V,ycs=-2Ⅴ,管子參數(shù)rDss=4 mA,yP=~4Ⅴ。設(shè)C1、C2在交流通路中可視為短路,求電阻R1和靜態(tài)電流.

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