HZM6.8FATL 繞組的直流電阻和由漏磁通作用
發(fā)布時(shí)間:2020/2/6 13:26:00 訪問次數(shù):1746
HZM6.8FATL高壓繞組漏磁軛,較小的σ較大的σ
圖4.1-10 繞組的排列對(duì)漏磁系數(shù)的影響
負(fù)載電壓,[實(shí)驗(yàn)三] 變壓器的初級(jí)線圈匝數(shù)f=1200匝,幾=600匝,聯(lián)接在交流30Ⅴ/50Hz的電源上c在次級(jí)利用多位開關(guān)分別接人不同類型的負(fù)載。實(shí)驗(yàn)電路如圖4.1-11所示G.
圖4.1-11 實(shí)驗(yàn)電路,然后,通過電流表和電壓表讀取數(shù)值填人下表。
表4.1-1 通過電流表和電壓表的讀取數(shù)值
從上表中可以看出:
變壓器空載,次級(jí)電壓由公式u/j,±yl對(duì)決定;
變壓器的負(fù)載接電阻和電感時(shí),其輸出電壓叱下降,且接電感時(shí)下降最大;
變壓器的負(fù)載接電容時(shí),其輸出電壓uh上升。
上述結(jié)論中的第一種情況在空載變壓器時(shí)我們已經(jīng)進(jìn)行過分析,在此不再重復(fù)。而第二、三種情況正是我們現(xiàn)在要分析的。
在變壓器加載時(shí),將會(huì)產(chǎn)生漏磁通,而漏磁通通過線圈的作用就像一個(gè)扼流圈,因此,變壓器就像一個(gè)電源發(fā)生器,其內(nèi)阻是由繞組的直流電阻和由漏磁通作用引起的漏電感所組(帶鐵心的60匝線圈)
圖4.1-14 自耦變壓器的,當(dāng)u2>σ1時(shí),Su=si
解:SR=SD(1-u)
hn=s(1-f)
su=400(1-y)=10⒐2v・A
Si=400(1-p)=40v・A
由此例可知,電壓u1和u2接近,自耦變壓器繞組公共部分的電流就越小,su也越小。因此,導(dǎo)線截面可以比較細(xì)c而公共部分的匝數(shù)幾乎就是繞組的總匝數(shù),小電流在這里引起的損耗也很小,因此經(jīng)濟(jì)效果很顯著。
理論分析和實(shí)踐都可以證明:當(dāng)u・t電壓比(變壓比)接近于1時(shí),或者說≤2時(shí),自耦變壓器的優(yōu)點(diǎn)是明顯的。當(dāng)變壓比>2時(shí)1好處就不多了。所以在實(shí)際應(yīng)用中,自耦變壓器的變壓比一般在1.2~2.0的范圍內(nèi)。
自耦變壓器的缺點(diǎn)在于:初、次級(jí)繞組的電路及到低壓端c.如當(dāng)壓繞組的絕緣損壞時(shí).高電壓會(huì)直接傳到副繞組,這是很不安的,見圖4-13和圖4-14所示。
圖4.1-13 白耦變壓器
[例題3] 160V/220V和200V/220V的兩個(gè)自耦變壓器、其輸出視在功率是400V・A,求它們的設(shè)計(jì)功率是多少?
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
HZM6.8FATL高壓繞組漏磁軛,較小的σ較大的σ
圖4.1-10 繞組的排列對(duì)漏磁系數(shù)的影響
負(fù)載電壓,[實(shí)驗(yàn)三] 變壓器的初級(jí)線圈匝數(shù)f=1200匝,幾=600匝,聯(lián)接在交流30Ⅴ/50Hz的電源上c在次級(jí)利用多位開關(guān)分別接人不同類型的負(fù)載。實(shí)驗(yàn)電路如圖4.1-11所示G.
圖4.1-11 實(shí)驗(yàn)電路,然后,通過電流表和電壓表讀取數(shù)值填人下表。
表4.1-1 通過電流表和電壓表的讀取數(shù)值
從上表中可以看出:
變壓器空載,次級(jí)電壓由公式u/j,±yl對(duì)決定;
變壓器的負(fù)載接電阻和電感時(shí),其輸出電壓叱下降,且接電感時(shí)下降最大;
變壓器的負(fù)載接電容時(shí),其輸出電壓uh上升。
上述結(jié)論中的第一種情況在空載變壓器時(shí)我們已經(jīng)進(jìn)行過分析,在此不再重復(fù)。而第二、三種情況正是我們現(xiàn)在要分析的。
在變壓器加載時(shí),將會(huì)產(chǎn)生漏磁通,而漏磁通通過線圈的作用就像一個(gè)扼流圈,因此,變壓器就像一個(gè)電源發(fā)生器,其內(nèi)阻是由繞組的直流電阻和由漏磁通作用引起的漏電感所組(帶鐵心的60匝線圈)
圖4.1-14 自耦變壓器的,當(dāng)u2>σ1時(shí),Su=si
解:SR=SD(1-u)
hn=s(1-f)
su=400(1-y)=10⒐2v・A
Si=400(1-p)=40v・A
由此例可知,電壓u1和u2接近,自耦變壓器繞組公共部分的電流就越小,su也越小。因此,導(dǎo)線截面可以比較細(xì)c而公共部分的匝數(shù)幾乎就是繞組的總匝數(shù),小電流在這里引起的損耗也很小,因此經(jīng)濟(jì)效果很顯著。
理論分析和實(shí)踐都可以證明:當(dāng)u・t電壓比(變壓比)接近于1時(shí),或者說≤2時(shí),自耦變壓器的優(yōu)點(diǎn)是明顯的。當(dāng)變壓比>2時(shí)1好處就不多了。所以在實(shí)際應(yīng)用中,自耦變壓器的變壓比一般在1.2~2.0的范圍內(nèi)。
自耦變壓器的缺點(diǎn)在于:初、次級(jí)繞組的電路及到低壓端c.如當(dāng)壓繞組的絕緣損壞時(shí).高電壓會(huì)直接傳到副繞組,這是很不安的,見圖4-13和圖4-14所示。
圖4.1-13 白耦變壓器
[例題3] 160V/220V和200V/220V的兩個(gè)自耦變壓器、其輸出視在功率是400V・A,求它們的設(shè)計(jì)功率是多少?
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
熱門點(diǎn)擊
- LTC5530ES6PBF 同或和異或的邏輯
- 330255-001 飛機(jī)的側(cè)向靜穩(wěn)定性起重
- S-80724AN DM-Q2-T1不可重復(fù)
- lm3s9b81-iqc80c5難熔金屬銅作
- BFR36觸發(fā)器的激勵(lì)函數(shù)和輸出
- TDSR0760 手柄接觸保持力測(cè)試工具
- WLAVA30042 X型、Y型和Z型高密度
- QM443AD1 飛機(jī)落地后沿滑行線行駛
- YAC510計(jì)算中心頻率克和帶寬BW
- VF596EL-125.000MHZ 時(shí)序邏
推薦技術(shù)資料
- 第四代加 SuperGaN
- 氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN HEMT
- 同步 Bank-Switchable 雙端口
- 模擬多路復(fù)用器技術(shù)規(guī)格參數(shù)
- 集成高性能 CM85 內(nèi)核和大內(nèi)存̴
- RA 系列的 Arm 微控制器 (MCU)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究