RH5VA46AA-T1要想進(jìn)一步減小EV驅(qū)動(dòng)電機(jī)的尺寸和重量并提高效率，則需要將電機(jī)形狀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)更改為更復(fù)雜、更多樣的設(shè)計(jì)。這意味著，所使用的釹磁鐵將需要更強(qiáng)大且采用不同形狀，同時(shí)提供磁場(chǎng)指向，以便更高效地生成磁力。

TDK開發(fā)了一種能夠精確制造各種釹磁鐵形狀的技術(shù)，以及一種能夠自由改變磁場(chǎng)方向的控制技術(shù)*3。這些技術(shù)會(huì)根據(jù)使用條件/環(huán)境來(lái)優(yōu)化磁鐵，因而能夠針對(duì)各種不同的電機(jī)設(shè)計(jì)提供最佳的釹磁鐵解決方案。

平面形磁場(chǎng)和弧形磁場(chǎng)之間的方向差異（示意圖）

內(nèi)嵌式永磁(IPM)轉(zhuǎn)子（磁鐵嵌入到轉(zhuǎn)子的金屬芯內(nèi)部）中平面形磁場(chǎng)和弧形磁場(chǎng)之間的方向差異。平面形磁場(chǎng)的方向是一個(gè)方向，而弧形磁場(chǎng)的方向是徑向。

通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)�！霸礃O底置”是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS(on)）降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS（包括服務(wù)器、電信和OR-ing）和電池管理.

蘋果公司對(duì)高通公司提供的QTM 525 5G毫米波天線模塊的設(shè)計(jì)“猶豫不決”，因?yàn)樗安环咸O果公司對(duì)這款新手機(jī)的時(shí)尚工業(yè)設(shè)計(jì)” 。雖然高通公司仍將為新iPhone提供5G芯片，也就是調(diào)制解調(diào)器芯片（又稱基帶），但天線模塊將由蘋果公司開發(fā)。

蘋果也正在研究同時(shí)使用高通調(diào)制解調(diào)器+高通天線作為備選計(jì)劃，但如果這樣做，新iPhone可能會(huì)厚一點(diǎn)。

蘋果以前在設(shè)計(jì)天線時(shí)遇到過(guò)問(wèn)題。最知名的大概就是iPhone 4的“死亡之握“，天線設(shè)計(jì)會(huì)導(dǎo)致通話中斷。消息人士說(shuō)，蘋果公司的另一種天線設(shè)計(jì)“需要兩倍于同類天線的功率才能產(chǎn)生同樣的信號(hào)效果”，并且為5G毫米波設(shè)計(jì)天線比其他類型還更困難，因?yàn)樗鼈儼l(fā)送和接收更高頻率的信號(hào)。

對(duì)于儲(chǔ)能濾波電感，由于需要承受一定的直流電流（低頻電流相對(duì)與高頻開關(guān)電流也可視為直流），也就是存在直流工作點(diǎn)Hdc不為零。

S234-H5FR-1803XB壓電晶體轉(zhuǎn)換成電能的振動(dòng).

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