THA15 高紋波電流薄膜電容器
發(fā)布時間:2020/2/22 15:02:32 訪問次數(shù):1655
THA15混合動力汽車以及電動汽車用途中要求滿足,為實現(xiàn)電機驅(qū)動系統(tǒng)的高輸出以及高效率的高電壓化,為實現(xiàn)汽車低耗能(或者低油耗)的小型化等條件。
在其驅(qū)動系統(tǒng)的變頻器上,需要平滑直流電壓的平滑用電容器,為此常規(guī)采用大容量且價廉物美的鋁電解電容器。
不過,隨著電容器用介質(zhì)膜的技術(shù)創(chuàng)新和薄膜化的推動,如今要求重新評估具備高耐電壓、低損耗、高紋波電流、長壽命等卓越的電氣特性的薄膜電容器規(guī)格。
今后伴隨混合動力汽車以及電動汽車的普及和廣泛使用,系統(tǒng)的低成本化・小型化不可或缺,因此也要求薄膜電容器進一步改進小型化、支持高紋波電流、高溫化等性能,因此需要開發(fā)具備通過介質(zhì)膜的薄膜化實現(xiàn)小型化
通過開發(fā)蒸鍍技術(shù)實現(xiàn)高耐電壓化、長壽命化
通過降低ESR支持高紋波電流
通過開發(fā)構(gòu)件的材料強化可靠性
通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計強化散熱性
等功能的薄膜電容器。
全新機器學習(ML) IP:Arm® Cortex®-M55處理器和Arm Ethos™-U55神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器(NPU)。據(jù)了解,Cortex-M55是目前為止,Arm歷來AI能力最強大的Cortex-M處理器,而Ethos-U55則是針對Cortex-M推出的首款microNPU。
在4個單獨端口進行匹配時,不能按傳統(tǒng)的方法,將每個端口單獨匹配,再加功分網(wǎng)絡(luò),則應(yīng)充分考慮4個臂之間的耦合。利用Ansys HFSS進行仿真可發(fā)現(xiàn),位置相對的臂之間的耦合要遠大于相鄰臂之間的耦合,如圖3所示。是因為相對兩個臂上的電流相互平行,所以相互影響過大,而相鄰臂上的大部分電流相互垂直,則影響較小,因而在一定范圍內(nèi)只考慮相對臂之間的耦合。假設(shè)4個天線臂端口按逆時針分別為端口1、端口2、端口3和端口4,反射系數(shù)分別為Γ11、Γ22、Γ33和Γ44,相對天線臂之間的耦合系數(shù)為M13和M24,由于天線兩對臂之間的對稱性,所以只需分析天線臂1和3之間的關(guān)系。假設(shè)端口1處的相位為0,能量從端口1傳輸?shù)蕉丝?產(chǎn)生的相位差為θ,而端口1和端口3的饋電相位相差180°,則從端口1耦合到端口3的能量在天線臂3端口處產(chǎn)生的相位為-180°-θ,由于天線間距較小,θ較小,所以可認為端口1耦合到端口3的能量在端口3處的相位為-180°。端口3的饋電相位為-180°,則其反射能量的相位為180°。在端口3處看,從端口送出的能量包含端口3反射的能量和端口1耦合的能量,上文已得出反射能量和耦合能量在端口3處的相位分別為180°和-180°,所以當反射的能量和耦合的能量大小相等時,其等幅反相相互抵消,達到最佳匹配效果,即Γ33=M13,反之滿足Γ11=M13時,端口1處達到最佳匹配。同理可分析端口2和端口4。
BTS7960B的通態(tài)電阻典型值為16mfl,驅(qū)動電流可達4.3A,因此即使在寒冷的冬天,仍能保證車窗的安全啟動。調(diào)節(jié)SR引腳外接電阻的大小可以調(diào)節(jié)MOS管導通和關(guān)斷時間,具有防電磁干擾功能。1S引腳是電流檢測輸出引腳。INH引腳為使能引腳,IN引腳用于確定哪個MOSFET導通。當lN—1且INH—l時。高邊MOSFET導通,輸出高電平,當IN=O,且INH-1時,低邊MOSFET導通,輸出低電平,16位微控器XC164CS控制。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
THA15混合動力汽車以及電動汽車用途中要求滿足,為實現(xiàn)電機驅(qū)動系統(tǒng)的高輸出以及高效率的高電壓化,為實現(xiàn)汽車低耗能(或者低油耗)的小型化等條件。
在其驅(qū)動系統(tǒng)的變頻器上,需要平滑直流電壓的平滑用電容器,為此常規(guī)采用大容量且價廉物美的鋁電解電容器。
不過,隨著電容器用介質(zhì)膜的技術(shù)創(chuàng)新和薄膜化的推動,如今要求重新評估具備高耐電壓、低損耗、高紋波電流、長壽命等卓越的電氣特性的薄膜電容器規(guī)格。
今后伴隨混合動力汽車以及電動汽車的普及和廣泛使用,系統(tǒng)的低成本化・小型化不可或缺,因此也要求薄膜電容器進一步改進小型化、支持高紋波電流、高溫化等性能,因此需要開發(fā)具備通過介質(zhì)膜的薄膜化實現(xiàn)小型化
通過開發(fā)蒸鍍技術(shù)實現(xiàn)高耐電壓化、長壽命化
通過降低ESR支持高紋波電流
通過開發(fā)構(gòu)件的材料強化可靠性
通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計強化散熱性
等功能的薄膜電容器。
全新機器學習(ML) IP:Arm® Cortex®-M55處理器和Arm Ethos™-U55神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器(NPU)。據(jù)了解,Cortex-M55是目前為止,Arm歷來AI能力最強大的Cortex-M處理器,而Ethos-U55則是針對Cortex-M推出的首款microNPU。
在4個單獨端口進行匹配時,不能按傳統(tǒng)的方法,將每個端口單獨匹配,再加功分網(wǎng)絡(luò),則應(yīng)充分考慮4個臂之間的耦合。利用Ansys HFSS進行仿真可發(fā)現(xiàn),位置相對的臂之間的耦合要遠大于相鄰臂之間的耦合,如圖3所示。是因為相對兩個臂上的電流相互平行,所以相互影響過大,而相鄰臂上的大部分電流相互垂直,則影響較小,因而在一定范圍內(nèi)只考慮相對臂之間的耦合。假設(shè)4個天線臂端口按逆時針分別為端口1、端口2、端口3和端口4,反射系數(shù)分別為Γ11、Γ22、Γ33和Γ44,相對天線臂之間的耦合系數(shù)為M13和M24,由于天線兩對臂之間的對稱性,所以只需分析天線臂1和3之間的關(guān)系。假設(shè)端口1處的相位為0,能量從端口1傳輸?shù)蕉丝?產(chǎn)生的相位差為θ,而端口1和端口3的饋電相位相差180°,則從端口1耦合到端口3的能量在天線臂3端口處產(chǎn)生的相位為-180°-θ,由于天線間距較小,θ較小,所以可認為端口1耦合到端口3的能量在端口3處的相位為-180°。端口3的饋電相位為-180°,則其反射能量的相位為180°。在端口3處看,從端口送出的能量包含端口3反射的能量和端口1耦合的能量,上文已得出反射能量和耦合能量在端口3處的相位分別為180°和-180°,所以當反射的能量和耦合的能量大小相等時,其等幅反相相互抵消,達到最佳匹配效果,即Γ33=M13,反之滿足Γ11=M13時,端口1處達到最佳匹配。同理可分析端口2和端口4。
BTS7960B的通態(tài)電阻典型值為16mfl,驅(qū)動電流可達4.3A,因此即使在寒冷的冬天,仍能保證車窗的安全啟動。調(diào)節(jié)SR引腳外接電阻的大小可以調(diào)節(jié)MOS管導通和關(guān)斷時間,具有防電磁干擾功能。1S引腳是電流檢測輸出引腳。INH引腳為使能引腳,IN引腳用于確定哪個MOSFET導通。當lN—1且INH—l時。高邊MOSFET導通,輸出高電平,當IN=O,且INH-1時,低邊MOSFET導通,輸出低電平,16位微控器XC164CS控制。

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