當(dāng)輸入v1略大于uE時,T1管導(dǎo)通,產(chǎn)生電流J1,此時jL=J2,流入T3管的電流減少,致使輸出電壓略有下降,但T3仍然導(dǎo)通,則輸出電壓的值仍接近于0.7V。隨著vI增加至0.54V,電流i1增加到使ji=i2時,T3截止。

繼續(xù)增加u,vo下降,當(dāng)(uD-vo))|uD|時,T2工作在飽和區(qū)。而當(dāng)uI)(vo+uE)時,T1進入可變電阻區(qū),此時輸出電壓約為0.17V。即輸人達到高電平電壓0,63V以后,輸出為低電平。

為簡明起見,省略了上述輸入、輸出轉(zhuǎn)折點電壓值的計算,詳細計算可以參閱參考文獻[1]。

在反相器的基礎(chǔ)上,將增強型MESFET管與工作管并聯(lián),就可以得到或非門電路。直接耦合FET電路要求同時生產(chǎn)增強型和耗盡型兩種管子,因此制造工藝復(fù)雜。為簡化生產(chǎn)工藝,工作管和負載管全部采用耗盡型MESFET,這就構(gòu)成了耗盡型FET電路。

耗盡型FET邏輯門電路,耗盡型MESFET反相器的電路結(jié)構(gòu)如圖3.4.2所示,其中T1為工作管,T2為負載管,下一級門電路的輸入管T4作為負載。假設(shè)所有耗盡型管的夾斷電壓uD為-0.9Ⅴ。如果只考慮由T1、T2構(gòu)成的反相器,為使T1管截止,輸入電壓必須取小于uD的值,而輸出始終為正值,因此進行級聯(lián)時,存在電平不匹配問題。砷化鎵材料制成的肖特基二極管D1、D2起電平轉(zhuǎn)移作用,使得輸出端的高、低電平與輸人端的高、低電平匹配,其導(dǎo)通壓降7D為0.7Ⅴ。T3管的作用是給D1、D2提供固定偏置電  圖3.4.2耗盡型MESFET反相器流,為使T3始終工作在飽和區(qū),將其源極接在負電源yss上,且|yss|≥uL+|uD|,uL為輸出電壓vo的低電平值。該電路輸人信號高、低電平分別為-0.16V和一0.26V;輸出信號的高、低電平分別為0.7V和-1.27V。

當(dāng)輸人為低電平,并且v1<uD時,T1管截止,T2管工作在飽和區(qū),如果忽略T2管的飽和導(dǎo)通電阻,貝刂噸的高電平輸出電壓接近+3V,將使T4管導(dǎo)通。T4管導(dǎo)通時的柵源電壓vcs為0.7V,所以uo=0.7V,vo被鉗位在vo=ui,邏輯正邏輯和例某個邏輯門電路的輸入和輸出電平如表3.5,1所示,其中H和L分別表示高、低電平。如果采用正邏輯體制,令H=1,L=0,得到如表3.5,2所示的真值表,它表示與非邏輯關(guān)系L=A・B。如果采用負邏輯體制,令H=0,L=1,得到如表3,5.3所示的真值表,它表示或非邏輯關(guān)系L=A+B。因此,正邏輯的與非門等效于負邏輯的或非門。正邏輯和負邏輯只是看問題的角度或分析問題的方法不同而已,問題的實質(zhì)是不變的,即電路輸入與輸出的電平關(guān)系始終是不變的。本書如無特殊說明,一律采用正邏輯,即規(guī)定高電平為邏輯1,低電平為邏輯0。

表3.5.1 某電路輸入與輸出電平表   表3,5,2 正與非門真值表    表3.5.3 負或非門真值表

正負邏輯的等效變換,工程實踐中,電路描述一般采用正邏輯果需要,可以按下列方式進行兩種邏輯體制.

基本邏輯門電路的等效符號,利用摩根定律對基本邏輯運算進體制,負邏輯體制用得比較少。如的互換:

與非→或非與<=>或非→非

基本邏輯門電路的等效符號及其應(yīng)用行變換,可以得到不同形式的表達式。例u=c+B=A・B

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