X28C256J-35 功放器兼容數(shù)據(jù)傳輸速率
發(fā)布時(shí)間:2020/2/27 12:17:35 訪問(wèn)次數(shù):2408
X28C256J-35對(duì)自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,長(zhǎng)鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場(chǎng)需求,支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合,并有充分的可靠性保障,規(guī)格方面單顆容量8Gb(1GB),頻率2666MHz,電壓1.2V,工作溫度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,芯片都采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造,預(yù)計(jì)到2020年底月產(chǎn)能可達(dá)4萬(wàn)片晶圓。
CoolPAM W-CDMA產(chǎn)品都能在3.2-4.2 V的電壓范圍內(nèi)工作,并與當(dāng)前的低耗電量電路設(shè)計(jì)相兼容。它采用50歐姆輸入和輸出的匹配網(wǎng)絡(luò),集成簡(jiǎn)便,并配有控制引腳,可以設(shè)置操作參數(shù),在以低輸出功率操作時(shí)實(shí)現(xiàn)最高的效率。新型功放器提供了業(yè)內(nèi)最低的平均工作電流。所有型號(hào)都兼容HSDPA,一種基于分組的數(shù)據(jù)服務(wù),提供了高達(dá)10 Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,在5 MHz帶寬上為MIMO (多入多出) 系統(tǒng)提供了高達(dá)20 Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。
CoolPAM W-CDMA產(chǎn)品為采用了4 mm x 4 mm x 1.4mm的10針表面封裝的模塊,保證了更高的熱導(dǎo)率,最大限度地減少了溫度上升,提高了可靠性。
硅(Si)元器件,損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,與以往封裝相比,可降低開(kāi)關(guān)損耗,因此有望應(yīng)用于服務(wù)器、基站、太陽(yáng)能發(fā)電等高輸出應(yīng)用中。
ROHM于全球第一家成功實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。此次新開(kāi)發(fā)出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,未來(lái)也會(huì)繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新型元器件的開(kāi)發(fā),同時(shí)提供包括非常適用于SiC驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)器IC等在內(nèi)的解決方案,為進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻(xiàn)力量。
評(píng)估套件包含了8個(gè)常用的傳感器,分別是
加速度傳感器 KX022-1020
氣壓傳感器 BM1383GLV
地磁傳感器 BM1422GMV
接近照度傳感器 RPR-0521RS
色彩傳感器 BH1745NUC
霍爾磁傳感器 BD7411G
溫度傳感器 BD1020HFV
紫外線傳感器 ML8511
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材來(lái)源:21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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CoolPAM W-CDMA產(chǎn)品都能在3.2-4.2 V的電壓范圍內(nèi)工作,并與當(dāng)前的低耗電量電路設(shè)計(jì)相兼容。它采用50歐姆輸入和輸出的匹配網(wǎng)絡(luò),集成簡(jiǎn)便,并配有控制引腳,可以設(shè)置操作參數(shù),在以低輸出功率操作時(shí)實(shí)現(xiàn)最高的效率。新型功放器提供了業(yè)內(nèi)最低的平均工作電流。所有型號(hào)都兼容HSDPA,一種基于分組的數(shù)據(jù)服務(wù),提供了高達(dá)10 Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,在5 MHz帶寬上為MIMO (多入多出) 系統(tǒng)提供了高達(dá)20 Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。
CoolPAM W-CDMA產(chǎn)品為采用了4 mm x 4 mm x 1.4mm的10針表面封裝的模塊,保證了更高的熱導(dǎo)率,最大限度地減少了溫度上升,提高了可靠性。
硅(Si)元器件,損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,與以往封裝相比,可降低開(kāi)關(guān)損耗,因此有望應(yīng)用于服務(wù)器、基站、太陽(yáng)能發(fā)電等高輸出應(yīng)用中。
ROHM于全球第一家成功實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。此次新開(kāi)發(fā)出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,未來(lái)也會(huì)繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新型元器件的開(kāi)發(fā),同時(shí)提供包括非常適用于SiC驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)器IC等在內(nèi)的解決方案,為進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻(xiàn)力量。
評(píng)估套件包含了8個(gè)常用的傳感器,分別是
加速度傳感器 KX022-1020
氣壓傳感器 BM1383GLV
地磁傳感器 BM1422GMV
接近照度傳感器 RPR-0521RS
色彩傳感器 BH1745NUC
霍爾磁傳感器 BD7411G
溫度傳感器 BD1020HFV
紫外線傳感器 ML8511
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