X28C256J-35 功放器兼容數(shù)據(jù)傳輸速率

發(fā)布時間:2020/2/27 12:17:35 訪問次數(shù):2409

X28C256J-35對自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,長鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場需求，支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合，并有充分的可靠性保障，規(guī)格方面單顆容量8Gb(1GB)，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,芯片都采用國產(chǎn)第一代10nm級工藝制造，預(yù)計到2020年底月產(chǎn)能可達4萬片晶圓。

CoolPAM W-CDMA產(chǎn)品都能在3.2-4.2 V的電壓范圍內(nèi)工作，并與當(dāng)前的低耗電量電路設(shè)計相兼容。它采用50歐姆輸入和輸出的匹配網(wǎng)絡(luò)，集成簡便，并配有控制引腳，可以設(shè)置操作參數(shù)，在以低輸出功率操作時實現(xiàn)最高的效率。新型功放器提供了業(yè)內(nèi)最低的平均工作電流。所有型號都兼容HSDPA，一種基于分組的數(shù)據(jù)服務(wù)，提供了高達10 Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，在5 MHz帶寬上為MIMO (多入多出) 系統(tǒng)提供了高達20 Mb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。

CoolPAM W-CDMA產(chǎn)品為采用了4 mm x 4 mm x 1.4mm的10針表面封裝的模塊，保證了更高的熱導(dǎo)率，最大限度地減少了溫度上升，提高了可靠性。

硅（Si）元器件,損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET，與以往封裝相比，可降低開關(guān)損耗，因此有望應(yīng)用于服務(wù)器、基站、太陽能發(fā)電等高輸出應(yīng)用中。

ROHM于全球第一家成功實現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)。此次新開發(fā)出650V／1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET，未來也會繼續(xù)推進創(chuàng)新型元器件的開發(fā)，同時提供包括非常適用于SiC驅(qū)動的柵極驅(qū)動器IC等在內(nèi)的解決方案，為進一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻力量。