浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » IC/元器件

XC3130A-2VQG100C 碳化硅器件的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

發(fā)布時間:2020/2/28 8:54:45 訪問次數(shù):2581

XC3130A-2VQG100C目前具有代表性的嵌入式AI平臺,具備了3.0 TOPs的基礎(chǔ)算力,基本可以滿足大部分場景的使用,如人臉門禁、掃臉支付、智能餐桌等。此外,如果對照片處理的實時性要求不高,比如山火識別,面對這種對網(wǎng)絡(luò)模型的查全率要求很高的場景,就可以使用上結(jié)構(gòu)更深的模型,來達(dá)到精度更高的效果。五、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理速度· 為了更直觀地認(rèn)識M1808的AI計算能力,在圖表1中,我們分別在三種相同的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型下,對比M1808與常見手機(jī)芯片的網(wǎng)絡(luò)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運行時間。運行時間的長短可以反應(yīng)出硬件平臺AI計算能力?梢钥吹,對比當(dāng)今主流的手機(jī)芯片,M1808的AI算力也毫不遜色,足以滿足大部分AI功能需求。

                               

650 V CoolSiC™ MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發(fā)布的所有CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品相比,全新650V系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)。通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。此外,它們還具備最高的跨導(dǎo)水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩(wěn)健性?偠灾,溝槽技術(shù)可以在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實現(xiàn)最低的損耗,并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。

     

電容式濕度傳感器復(fù)數(shù)電壓法測量的具體測量電路,包括三個部分:微分電路、反相電路和積分電路 。正弦波發(fā)生器產(chǎn)生的正弦信號Vin經(jīng)過微分電路后,信號變成Vout,然后將Vout的輸出分成兩路,一路直接經(jīng)電子開關(guān)1K直接進(jìn)入積分電路,另一路先經(jīng)過反相電路,使Vout的輸出為Vout,經(jīng)過電子開關(guān)2K后,也同樣進(jìn)入積分電路。電子開關(guān)1K、2K的作用是將Vout信號進(jìn)行整流,然后經(jīng)過積分電路進(jìn)行測量。利用上述方法測量濕敏電容的值,測量范圍在30pF~100pF之間,測量的相對誤差可達(dá)±0.2%。

電場:導(dǎo)體之間的電壓產(chǎn)生電場

電場強(qiáng)度單位:V/m

磁場:導(dǎo)體上的電流產(chǎn)生磁場

磁場強(qiáng)度單位:A/m

波阻抗:Zo=E/H

差模輻射與共模輻射

差模輻射:電流在信號環(huán)路中流動產(chǎn)生

共模輻射:由于導(dǎo)體的電位高于參考電位產(chǎn)生

PCB主要產(chǎn)生差模輻射

             

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

(素材來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

XC3130A-2VQG100C目前具有代表性的嵌入式AI平臺,具備了3.0 TOPs的基礎(chǔ)算力,基本可以滿足大部分場景的使用,如人臉門禁、掃臉支付、智能餐桌等。此外,如果對照片處理的實時性要求不高,比如山火識別,面對這種對網(wǎng)絡(luò)模型的查全率要求很高的場景,就可以使用上結(jié)構(gòu)更深的模型,來達(dá)到精度更高的效果。五、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理速度· 為了更直觀地認(rèn)識M1808的AI計算能力,在圖表1中,我們分別在三種相同的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型下,對比M1808與常見手機(jī)芯片的網(wǎng)絡(luò)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運行時間。運行時間的長短可以反應(yīng)出硬件平臺AI計算能力。可以看到,對比當(dāng)今主流的手機(jī)芯片,M1808的AI算力也毫不遜色,足以滿足大部分AI功能需求。

                               

650 V CoolSiC™ MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發(fā)布的所有CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品相比,全新650V系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)。通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。此外,它們還具備最高的跨導(dǎo)水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩(wěn)健性?偠灾瑴喜奂夹g(shù)可以在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實現(xiàn)最低的損耗,并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。

     

電容式濕度傳感器復(fù)數(shù)電壓法測量的具體測量電路,包括三個部分:微分電路、反相電路和積分電路 。正弦波發(fā)生器產(chǎn)生的正弦信號Vin經(jīng)過微分電路后,信號變成Vout,然后將Vout的輸出分成兩路,一路直接經(jīng)電子開關(guān)1K直接進(jìn)入積分電路,另一路先經(jīng)過反相電路,使Vout的輸出為Vout,經(jīng)過電子開關(guān)2K后,也同樣進(jìn)入積分電路。電子開關(guān)1K、2K的作用是將Vout信號進(jìn)行整流,然后經(jīng)過積分電路進(jìn)行測量。利用上述方法測量濕敏電容的值,測量范圍在30pF~100pF之間,測量的相對誤差可達(dá)±0.2%。

電場:導(dǎo)體之間的電壓產(chǎn)生電場

電場強(qiáng)度單位:V/m

磁場:導(dǎo)體上的電流產(chǎn)生磁場

磁場強(qiáng)度單位:A/m

波阻抗:Zo=E/H

差模輻射與共模輻射

差模輻射:電流在信號環(huán)路中流動產(chǎn)生

共模輻射:由于導(dǎo)體的電位高于參考電位產(chǎn)生

PCB主要產(chǎn)生差模輻射

             

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

(素材來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

熱門點擊

 

推薦技術(shù)資料

單片機(jī)版光立方的制作
    N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功!