IRF740AS超高頻和微波波段時(shí)，電子標(biāo)簽和讀寫器之間的通信采用反向散射工作方式。連接電子標(biāo)簽和讀寫器之間的橋梁不再是近磁場而是電磁波。被動型電子標(biāo)簽處于讀寫器的電磁波遠(yuǎn)場中。根據(jù)頻帶的波長和天線的口徑可以計(jì)算出該頻帶頻識別系統(tǒng)的遠(yuǎn)場和讀寫器之間的距離。一般來說，被動性標(biāo)簽在超高頻范圍內(nèi)的丁作距離可達(dá)10米左有，根據(jù)現(xiàn)有資料來看。微波波段（主要指2.45GHz）的被動標(biāo)簽工作距離僅為1米左右。所以目前采用反向散射下作模式的射頻識別系統(tǒng)主要使用位于860～960MHz的超高頻頻段。

參考長度的諧振單元構(gòu)造的標(biāo)簽，這個標(biāo)簽的初始ID可表示為‘V-10 10 10 10+H-10 10 10 10’。對應(yīng)的仿真結(jié)果，兩個極化方向上的平面波在每個諧振單元對應(yīng)的頻點(diǎn)上，產(chǎn)生了相互重疊的回波信號。該結(jié)果將被用于驗(yàn)證下述的5個標(biāo)簽的仿真結(jié)果。

4個H-pol的諧振單元長度不變，4個V-pol的諧振單元長度減小，此時(shí)4個V-pol的諧振單元對應(yīng)的編碼由‘10’變?yōu)椤?1’。因此，此時(shí)標(biāo)簽的ID可表示為‘V-11 11 11 11+H-10 10 10 10’。對應(yīng)的仿真結(jié)果，與實(shí)線表示的H-pol的曲線相比，虛線表示的V-pol的諧振頻點(diǎn)，向右發(fā)生了頻移。

由被動型標(biāo)簽天線組成的射頻識別系統(tǒng)中，標(biāo)簽需要從瀆寫器產(chǎn)生的電磁場或者電磁波中獲取能量激活標(biāo)簽芯片。在電子標(biāo)簽中有一部分電路專門用于檢測標(biāo)簽天線上的感生電動勢或者感應(yīng)電壓，并通過二極管電路進(jìn)行整流并經(jīng)過其他電路進(jìn)行電壓放大等等。這些電路被集成存標(biāo)簽芯片內(nèi)部。當(dāng)芯片進(jìn)行封裝時(shí)通常還會引入一部分分布式電容。天線設(shè)計(jì)本身并不需要知道芯片中的具體電路而只需要掌握芯片和經(jīng)過封裝之后的芯片阻抗，并利用最大能量傳遞的法則設(shè)計(jì)天線的輸入阻抗。

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