TLV342SIRUGRON Semiconductor XS™DrMOS模塊系列是下一代完全優(yōu)化的、超緊湊的集成MOSFET +驅(qū)動(dòng)電源級(jí)解決方案，適用于大電流、高頻、同步降壓DC-DC應(yīng)用。這些DrMOS模塊集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片，兩個(gè)功率mosfts和一個(gè)自舉肖特基二極管到一個(gè)熱增強(qiáng)，超緊湊的6x6mm PQFM封裝。綜合方法提供了一個(gè)完整的功率級(jí)，優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)器和MOSFET動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)電感和功率MOSFET RDS(ON)。ON Semiconductor的XS™DrMOS采用高性能power塹壕®MOSFET技術(shù)，極大地減少了開關(guān)振鈴，在大多數(shù)降壓變換器應(yīng)用中無需緩沖電路。

特性

與傳統(tǒng)的離散解決方案相比，超緊湊6x6mm節(jié)省空間

充分優(yōu)化系統(tǒng)效率

最高效率93%以上

跳過模式下輸入

ON半導(dǎo)體power塹壕®技術(shù)mosfts用于清潔電壓波形和減少振鈴

基于半導(dǎo)體SyncFET(集成肖特基二極管)技術(shù)的低側(cè)MOSFET

集成自舉肖特基二極管

優(yōu)化的開關(guān)頻率高達(dá)1兆赫

Low-Powfile SMD包裝

對(duì)半導(dǎo)體綠色包裝和RoHS的符合性

應(yīng)用程序

筆記本電腦

高性能游戲主板

緊湊刀片服務(wù)器和工作站，v核和非v核DC-DC轉(zhuǎn)換器

臺(tái)式電腦，v核和非v核DC-DC轉(zhuǎn)換器

工作站

大電流DC-DC負(fù)載點(diǎn)(POL)變換器

網(wǎng)絡(luò)和電信微處理器調(diào)壓器

小型形狀因數(shù)調(diào)壓器模塊

碳化硅 (SiC) MOSFET 使用的技術(shù)與硅相比，可提供卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。無反向恢復(fù)電流、溫度獨(dú)立的開關(guān)特性和出色的熱性能，使碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體材料。系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括極高的能效、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系統(tǒng)尺寸和成本。

特性

易于并聯(lián)

高浪涌電流電容

最高結(jié)溫：+175 °C

沒有反向恢復(fù)/沒有正向恢復(fù)

更高的開關(guān)頻率

低正向電壓 - VF

正溫度系數(shù)

通過 AEC-Q101 鑒定，具有 PPAP 能力

應(yīng)用

汽車 HEV-EV DC/DC 轉(zhuǎn)換器

汽車 HEV-EV 車載充電器

工業(yè)電源

PFC

太陽能

UPS

焊接

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