中芯國(guó)際在北京建成我國(guó)第一座12寸晶圓廠
發(fā)布時(shí)間:2007/8/31 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):471
國(guó)內(nèi)第一座12寸晶圓廠--中芯國(guó)際北京廠已開(kāi)始投資,9月25日正式開(kāi)幕。 中芯北京廠計(jì)劃以0.11微米技術(shù)及0.11微米技術(shù),分別為德國(guó)英飛凌及日本爾必達(dá)生產(chǎn)高密度標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)產(chǎn)品。該廠已于7月23日起試產(chǎn),投產(chǎn)順利。
中芯可能于下周六的開(kāi)幕典禮上,宣布90納米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)成功,預(yù)定明年達(dá)到量產(chǎn)水平。中芯北京廠規(guī)劃興建三座12寸晶圓廠,現(xiàn)有員工900多人,首批12寸晶圓為0.11微米內(nèi)存產(chǎn)品,預(yù)計(jì)9月底開(kāi)始,將引進(jìn)爾必達(dá)0.10微米制程,并為其代工生產(chǎn)高密度標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品。
國(guó)內(nèi)第一座12寸晶圓廠--中芯國(guó)際北京廠已開(kāi)始投資,9月25日正式開(kāi)幕。 中芯北京廠計(jì)劃以0.11微米技術(shù)及0.11微米技術(shù),分別為德國(guó)英飛凌及日本爾必達(dá)生產(chǎn)高密度標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)產(chǎn)品。該廠已于7月23日起試產(chǎn),投產(chǎn)順利。
中芯可能于下周六的開(kāi)幕典禮上,宣布90納米制程技術(shù)開(kāi)發(fā)成功,預(yù)定明年達(dá)到量產(chǎn)水平。中芯北京廠規(guī)劃興建三座12寸晶圓廠,現(xiàn)有員工900多人,首批12寸晶圓為0.11微米內(nèi)存產(chǎn)品,預(yù)計(jì)9月底開(kāi)始,將引進(jìn)爾必達(dá)0.10微米制程,并為其代工生產(chǎn)高密度標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- TI 3.3V電源PECL/TTL轉(zhuǎn)換器
- 臺(tái)灣封測(cè)股王——力成科技
- WaferSense無(wú)線水平儀精確校準(zhǔn)晶圓加
- VCA810:寬帶電壓控制放大器(圖)
- VC0928:64和弦MIDI音頻處理芯片
- 中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備落后世界水平近10年
- 上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展對(duì)策的再思考李文宏1
- ADI最新有源射頻分路器IC使有線電視和計(jì)算
- ASMI在新加坡設(shè)立晶圓加工設(shè)備廠
- 飛利浦推出HVQFN封裝的 16C UART
推薦技術(shù)資料
- 自制智能型ICL7135
- 表頭使ff11CL7135作為ADC,ICL7135是... [詳細(xì)]
- MOSFET 電感單片降壓開(kāi)關(guān)模式變換器優(yōu)勢(shì)
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無(wú)芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對(duì)位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究