TLE4201A1旁路電容還允許交流泄漏及瞬變跨隔離柵從一個接地層耦合至另一個接地層。雖然旁路電容一般很小，但高壓高速瞬變可通過此電容跨隔離柵注入大量電流。如果應(yīng)用需承受惡劣的電磁瞬變，如靜電放電、電快速瞬變和浪涌，也必須考慮到這一點。

無論是分立式還是嵌入式，使用旁路電容都不是理想的抑制技術(shù)。它雖然可以幫助減少輻射發(fā)射，卻要以增加組件、采用復雜的PCB布局和提高瞬態(tài)敏感性為代價。理想的抑制技術(shù)不需要采用旁路電容，因此可以降低成本和PCB設(shè)計的復雜性。

集成的隔離電源組件應(yīng)該包含降低芯片輻射發(fā)射的措施，無需在外部額外增加復雜的措施，即可確保通過系統(tǒng)級輻射發(fā)射測試。這樣一來，只需將組件放置到2層板上，即可通過嚴格的輻射發(fā)射測試，而無需多次制作電路板。

低輻射發(fā)射隔離器，下一代isoPower®系列產(chǎn)品采用創(chuàng)新的設(shè)計技術(shù)，可以避免產(chǎn)生大量輻射發(fā)射，甚至在沒有旁路電容的2層板上也不例外。ADuM5020和ADuM5028在以大幅裕量滿足CISPR22/EN55022B類限制的同時，可以分別跨隔離柵提供500mW和330mW功率。

ADuM5020采用16引腳寬體SOIC封裝，而對于ADuM5028，可以選擇的最小封裝是8引腳SOIC。ADuM5020/ADuM5028提供3V和5V兩種電源選項，以及3kV rms額定隔離。

為了減少輻射發(fā)射，ADuM5020/ADuM5028具有出色的線圈對稱性和線圈驅(qū)動電路，有助于將通過隔離柵的CM電流傳輸最小化。擴頻技術(shù)也被用來降低某一特定頻率的噪聲濃度，并將輻射發(fā)射能量擴散到更廣泛的頻段。在次級端使用低價鐵氧體磁珠會進一步減少輻射發(fā)射。在RE合規(guī)測試期間，這些技術(shù)可以改善峰值和準峰值測量水平。

ADuM5020和鐵氧體特性曲線，放置在靠近VISO和GNDISO引腳的次級端鐵氧體磁珠。這些鐵氧體在寬頻率范圍內(nèi)具有高阻抗(100MHz時為1800Ω，1GHz時為2700Ω)。這些鐵氧體降低了偶極的有效輻射效率。因為鐵氧體磁珠的阻抗，CM電流環(huán)減小，偶極的有效長度明顯縮短，使得偶極效率降低，輻射發(fā)射減少。

ADuM5020/ADuM5028提供適用于隔離設(shè)計的直流-直流即用型電源解決方案，滿足以下輻射發(fā)射和產(chǎn)品標準要求：

X CISPR 22/EN 55022(B類)：信息技術(shù)設(shè)備

CISPR11/EN55011(B類)：工業(yè)、科學和醫(yī)療設(shè)備

X IEC 61000-6-4：通用標準—工業(yè)環(huán)境的輻射發(fā)射標準

X IEC 61000-6-3：通用標準—住宅、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境的輻射發(fā)射標準

IEC 61131-2：可編程控制器—第2部分：設(shè)備要求和測試

X IEC 621326：用于測量、控制及實驗室用途的電氣設(shè)備

X EMC要求—第1部分：一般要求

IEC 60601-1-2：醫(yī)療電氣設(shè)備第1-2部分：基本安全和基本性能的一般要求—附加標準：電磁干擾—要求和測試.

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